TMR磁场传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011454257.6

申请日：

2020-12-10

公开(公告)号：

CN112557972A

公开(公告)日：

2021-03-26

发明(设计)人：

刘明关蒙萌黄豪胡忠强周子尧朱家训

申请人：

申请人地址：

519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇科技七路1号4栋5-B单元

IPC主分类号：

G01R3309

IPC分类号：

代理机构：

广东朗乾律师事务所 44291

代理人：

杨焕军;朱鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-26	公开	公开
2021-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 33/09 申请日:20201210

共 50 条

[1]

新型TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

黄豪 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 .

中国专利 :CN214252546U ,2021-09-21

[2]

TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

黄豪 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 .

中国专利 :CN113093070A ,2021-07-09

[3]

TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

黄豪 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 .

中国专利 :CN113093070B ,2025-03-11

[4]

一种TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

黄豪 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 .

中国专利 :CN215728751U ,2022-02-01

[5]

一种TMR磁场传感器 [P].

李启荣 ;

严江荣 ;

颜天宝 .

中国专利 :CN118151064A ,2024-06-07

[6]

一种TMR磁场传感器 [P].

李启荣 ;

严江荣 ;

颜天宝 .

中国专利 :CN222105626U ,2024-12-03

[7]

双自由层TMR磁场传感器 [P].

胡志清 ;

王勇鸿 ;

郑元凯 ;

钱震荣 ;

毛明 ;

D·毛里 ;

姜明 .

中国专利 :CN113196078A ,2021-07-30

[8]

双自由层TMR磁场传感器 [P].

胡志清 ;

王勇鸿 ;

郑元凯 ;

钱震荣 ;

毛明 ;

D·毛里 ;

姜明 .

美国专利 :CN113196078B ,2024-06-21

[9]

单一芯片全桥TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 ;

黄豪 .

中国专利 :CN111044953A ,2020-04-21

[10]

单一芯片全桥TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 ;

黄豪 .

中国专利 :CN111044953B ,2025-01-03

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