一种TMR磁场传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410241887.7

申请日：

2024-03-01

公开(公告)号：

CN118151064A

公开(公告)日：

2024-06-07

发明(设计)人：

李启荣严江荣颜天宝

申请人：

佛山市川东磁电股份有限公司

申请人地址：

528500 广东省佛山市高明区杨和镇沧江工业园和顺路372号

IPC主分类号：

G01R33/09

IPC分类号：

代理机构：

深圳市成为知识产权代理事务所(普通合伙) 44704

代理人：

陈永根

法律状态：

公开

国省代码：

广东省佛山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-07	公开	公开
2024-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 33/09申请日:20240301

共 50 条

[1]

一种TMR磁场传感器 [P].

李启荣 ;

严江荣 ;

颜天宝 .

中国专利 :CN222105626U ,2024-12-03

[2]

TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

黄豪 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 .

中国专利 :CN113093070A ,2021-07-09

[3]

TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

黄豪 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 .

中国专利 :CN112557972A ,2021-03-26

[4]

TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

黄豪 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 .

中国专利 :CN113093070B ,2025-03-11

[5]

一种TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

黄豪 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 .

中国专利 :CN215728751U ,2022-02-01

[6]

新型TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

黄豪 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 .

中国专利 :CN214252546U ,2021-09-21

[7]

双自由层TMR磁场传感器 [P].

胡志清 ;

王勇鸿 ;

郑元凯 ;

钱震荣 ;

毛明 ;

D·毛里 ;

姜明 .

中国专利 :CN113196078A ,2021-07-30

[8]

双自由层TMR磁场传感器 [P].

胡志清 ;

王勇鸿 ;

郑元凯 ;

钱震荣 ;

毛明 ;

D·毛里 ;

姜明 .

美国专利 :CN113196078B ,2024-06-21

[9]

具有TMR磁场传感器的电流换能器 [P].

D·施莱夫利 .

:CN120405200A ,2025-08-01

[10]

单一芯片全桥TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 ;

黄豪 .

中国专利 :CN111044953A ,2020-04-21

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