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用于在衬底表面上形成图案化特征的方法和系统
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111002304.8
申请日
:
2021-08-30
公开(公告)号
:
CN114203547A
公开(公告)日
:
2022-03-18
发明(设计)人
:
李承泫
具盻炫
金显哲
井上尚树
申请人
:
申请人地址
:
荷兰阿尔梅勒
IPC主分类号
:
H01L21311
IPC分类号
:
H01L2132
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
焦玉恒
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-03-18
公开
公开
共 50 条
[1]
在衬底表面上形成硅化钼层的方法
[P].
D·厄尔努尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
D·厄尔努尔
;
J·W·梅斯
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
J·W·梅斯
.
:CN119480616A
,2025-02-18
[2]
在衬底表面上形成氮氧化层和氧化层的方法
[P].
K·威克茨瑞克
论文数:
0
引用数:
0
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0
K·威克茨瑞克
;
F·格雷奇
论文数:
0
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F·格雷奇
;
S·吕克格尔
论文数:
0
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0
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0
S·吕克格尔
.
中国专利
:CN1315162C
,2005-05-25
[3]
在衬底表面上提供多层涂料的方法
[P].
T·伯恩哈德
论文数:
0
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T·伯恩哈德
;
A·彼得
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A·彼得
;
M·嫚斯崎
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0
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0
M·嫚斯崎
;
F·布鲁宁
论文数:
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0
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0
F·布鲁宁
;
T·比尔凯-特洛尼
论文数:
0
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0
T·比尔凯-特洛尼
;
H·布伦纳
论文数:
0
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0
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0
H·布伦纳
.
中国专利
:CN109790622A
,2019-05-21
[4]
填充衬底表面上的沟槽的方法
[P].
A·雷姆涅夫
论文数:
0
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0
机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
A·雷姆涅夫
;
川岛孝弘
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
川岛孝弘
;
F·W·阿玛拉贾
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
F·W·阿玛拉贾
;
T·萨哈
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
T·萨哈
.
:CN119725217A
,2025-03-28
[5]
填充衬底表面上的沟槽的方法
[P].
智广久保田
论文数:
0
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0
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
智广久保田
;
杉浦博次
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
杉浦博次
;
菊地良幸
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
菊地良幸
;
A·米什拉
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0
机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
A·米什拉
;
A·雷姆涅夫
论文数:
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0
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0
机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
A·雷姆涅夫
.
:CN119480780A
,2025-02-18
[6]
在衬底表面上产生电功能层的方法
[P].
K·韦德纳
论文数:
0
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0
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0
K·韦德纳
;
R·温克
论文数:
0
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0
R·温克
;
J·-C·霍尔斯特
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0
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0
J·-C·霍尔斯特
;
J·D·詹森
论文数:
0
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0
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0
J·D·詹森
.
中国专利
:CN101501830B
,2009-08-05
[7]
用于在表面上产生导电图案的方法和装置
[P].
派翠·瑟维奥
论文数:
0
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0
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0
派翠·瑟维奥
;
尤哈·麦加拉
论文数:
0
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0
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0
尤哈·麦加拉
.
中国专利
:CN104206030B
,2014-12-10
[8]
防止衬底表面上烟雾生长的装置和方法
[P].
E·M·弗赖伊
论文数:
0
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0
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0
E·M·弗赖伊
;
L·E·弗里萨
论文数:
0
引用数:
0
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0
L·E·弗里萨
.
中国专利
:CN101395697A
,2009-03-25
[9]
在衬底表面上使用等离子体填充间隙的方法
[P].
一之濑秀
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
一之濑秀
.
:CN120060816A
,2025-05-30
[10]
在衬底表面上淀积膜的方法和由该方法制造的衬底
[P].
安崎利明
论文数:
0
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0
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安崎利明
;
荻野悦男
论文数:
0
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荻野悦男
;
丰岛隆之
论文数:
0
引用数:
0
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0
丰岛隆之
.
中国专利
:CN1271784A
,2000-11-01
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