一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210068382.2

申请日：

2012-03-15

公开(公告)号：

CN102618849B

公开(公告)日：

2012-08-01

发明(设计)人：

孟祥敏黄兴

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村东路29号

IPC主分类号：

C23C16448

IPC分类号：

C23C1640 C04B35628 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

北京正理专利代理有限公司 11257

代理人：

张文祎

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101329711289 IPC(主分类):C23C 16/448 专利申请号:2012100683822 申请日:20120315
2012-08-01	公开	公开
2013-07-10	授权	授权

共 50 条

[1]

ZnO、SnO2核壳结构微球的制备方法 [P].

郭威威 .

中国专利 :CN105467079A ,2016-04-06

[2]

三维MoS2/SnO2异质半导体纳米材料及其制备方法 [P].

李金柱 ;

郁可 ;

朱自强 .

中国专利 :CN104324715A ,2015-02-04

[3]

一种ZnO/SnO2异质结构纳米发光材料的制备方法 [P].

陈春晖 .

中国专利 :CN102504816B ,2012-06-20

[4]

制备SnO2-ZnO异质纳米枝杈结构的方法 [P].

师文生 ;

凌世婷 .

中国专利 :CN101323975B ,2008-12-17

[5]

基于球状核壳结构ZnSe/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器及制备方法 [P].

刘炜 ;

李晓干 ;

黄宝玉 ;

顾丁 .

中国专利 :CN110794005A ,2020-02-14

[6]

II型核壳结构半导体纳米晶的制备方法 [P].

李林松 ;

申怀彬 ;

徐巍巍 .

中国专利 :CN103184045A ,2013-07-03

[7]

一种分级核壳SnO2微球及其制备方法和应用 [P].

刘善堂 ;

郑力 ;

毕文杰 .

中国专利 :CN110606504B ,2019-12-24

[8]

水溶性SnO2无机半导体纳米材料的制备方法与应用 [P].

肖勋文 ;

沈梁钧 ;

王乐佳 .

中国专利 :CN108163887A ,2018-06-15

[9]

一种同轴异质结构的SnO2/ZnO纳米复合纤维材料的制备方法和应用 [P].

杜海英 ;

谷秋实 ;

于乃森 ;

孙炎辉 ;

廖家发 .

中国专利 :CN105603713A ,2016-05-25

[10]

具有核-壳结构的掺杂半导体纳米晶量子点及其制备方法 [P].

高静 ;

赵飞 ;

李望 ;

吴洪剑 ;

周海 ;

涂丽眉 .

中国专利 :CN103450904B ,2013-12-18

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