水溶性SnO2无机半导体纳米材料的制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810000540.8

申请日：

2018-01-05

公开(公告)号：

CN108163887A

公开(公告)日：

2018-06-15

发明(设计)人：

肖勋文沈梁钧王乐佳

申请人：

申请人地址：

315211 浙江省宁波市江北区风华路201号

IPC主分类号：

C01G1902

IPC分类号：

B82Y3000 C03C1734 H01L5142 H01L5146 H01L5148 B05D100 B05D724

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01G 19/02 申请公布日:20180615
2020-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 19/02 申请日:20180105
2018-06-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种无机半导体纳米材料及其制备方法 [P].

周云龙 ;

唐智勇 .

中国专利 :CN102211756A ,2011-10-12

[2]

半导体纳米材料的制备方法 [P].

丘洁龙 .

中国专利 :CN113122263A ,2021-07-16

[3]

三维MoS2/SnO2异质半导体纳米材料及其制备方法 [P].

李金柱 ;

郁可 ;

朱自强 .

中国专利 :CN104324715A ,2015-02-04

[4]

一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法 [P].

孟祥敏 ;

黄兴 .

中国专利 :CN102618849B ,2012-08-01

[5]

氧空位缺陷的SnO2纳米材料的制备方法、氧空位缺陷的SnO2纳米材料及使用方法 [P].

杨静凯 ;

任望为 ;

张佳欣 ;

崔延 ;

孙宇 ;

赵洪力 ;

梁波 .

中国专利 :CN114538501A ,2022-05-27

[6]

一种水溶性无机纳米材料的制备方法 [P].

卢运虎 ;

金衍 ;

陈勉 ;

王晓阳 ;

梁川 ;

侯冰 ;

刘铭 .

中国专利 :CN104692400A ,2015-06-10

[7]

一种In掺杂SnO2纳米材料的制备方法及其应用 [P].

魏明灯 ;

王亚 ;

费海龙 .

中国专利 :CN102790207A ,2012-11-21

[8]

氢化物沉积制备纳米SnO2材料的方法 [P].

吕弋 ;

席毛洋 ;

刘睿 .

中国专利 :CN102030362B ,2011-04-27

[9]

一种Ni掺杂纳米SnO2半导体HCHO传感材料及其制备方法和应用 [P].

卢晗锋 ;

王晨宇 ;

翁小乐 ;

周瑛 ;

柯权力 ;

黄旭 .

中国专利 :CN120288847A ,2025-07-11

[10]

SnO2纳米棒有序阵列纳米材料的合成及其应用 [P].

赵鹤云 ;

蒋秋萍 ;

李跃华 .

中国专利 :CN103183376B ,2013-07-03

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