一种无机半导体纳米材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010144146.5
申请日
2010-04-08
公开(公告)号
CN102211756A
公开(公告)日
2011-10-12
发明(设计)人
周云龙 唐智勇
申请人
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村北一条11号
IPC主分类号
B82B300
IPC分类号
B82B100
代理机构
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280
代理人
王勇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种无机半导体超级纳米粒子及其制备方法 [P]. 
唐智勇 ;
夏云生 .
中国专利 :CN102689881A ,2012-09-26
[2]
无机半导体材料及其制备方法 [P]. 
何斯纳 ;
吴龙佳 ;
吴劲衡 .
中国专利 :CN112349850A ,2021-02-09
[3]
一种半导体纳米材料及其制备方法与应用 [P]. 
吴爱国 ;
杜慧 ;
杨方 ;
李勇 .
中国专利 :CN114054025A ,2022-02-18
[4]
一种半导体纳米材料及其制备方法与应用 [P]. 
吴爱国 ;
杜慧 ;
杨方 ;
李勇 .
中国专利 :CN114054025B ,2024-09-27
[5]
一种有机无机杂化纳米材料及其制备方法与应用 [P]. 
付红兵 ;
蔺红桃 ;
吴义室 .
中国专利 :CN103337591A ,2013-10-02
[6]
一种生物半导体纳米材料及其制备方法和应用 [P]. 
屈庆 ;
李顺灵 ;
李蕾 ;
李晓虹 .
中国专利 :CN113832496B ,2021-12-24
[7]
一种化合物半导体纳米材料及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN116425195B ,2024-10-29
[8]
水溶性SnO2无机半导体纳米材料的制备方法与应用 [P]. 
肖勋文 ;
沈梁钧 ;
王乐佳 .
中国专利 :CN108163887A ,2018-06-15
[9]
一种有机无机杂化钙钛矿半导体材料及其制备方法 [P]. 
韩宏伟 ;
胡玥 ;
张智慧 .
中国专利 :CN107591486B ,2018-01-16
[10]
一种用于光催化的半导体纳米材料及其制备方法 [P]. 
姬晓旭 ;
赵庆怀 ;
王爱华 ;
程艺苑 ;
盛至铭 .
中国专利 :CN108579722A ,2018-09-28