一种Ni掺杂纳米SnO2半导体HCHO传感材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510249166.5

申请日：

2025-03-04

公开(公告)号：

CN120288847A

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

卢晗锋王晨宇翁小乐周瑛柯权力黄旭

申请人：

浙江工业大学

申请人地址：

310014 浙江省杭州市拱墅区潮王路18号

IPC主分类号：

C01G53/80

IPC分类号：

C01G30/00 B82Y30/00 B82Y40/00 G01N27/12

代理机构：

杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213

代理人：

龚如朝

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	公开	公开
2025-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 53/80申请日:20250304

共 50 条

[1]

水溶性SnO2无机半导体纳米材料的制备方法与应用 [P].

肖勋文 ;

沈梁钧 ;

王乐佳 .

中国专利 :CN108163887A ,2018-06-15

[2]

一种氮掺杂碳纳米SnO2复合材料及其制备方法和应用 [P].

江浩 ;

李春忠 ;

胡彦杰 ;

刘英 ;

胡晨 .

中国专利 :CN111883763B ,2020-11-03

[3]

SnO2掺杂催化剂的CO传感材料及其制备方法和应用 [P].

陈万平 ;

孙蓓蕾 ;

熊遥 ;

王雪凝 .

中国专利 :CN105911105B ,2016-08-31

[4]

一种掺杂SnO2的浆料及其制备方法和应用 [P].

姚英邦 ;

毕道广 .

中国专利 :CN109932401A ,2019-06-25

[5]

三维MoS2/SnO2异质半导体纳米材料及其制备方法 [P].

李金柱 ;

郁可 ;

朱自强 .

中国专利 :CN104324715A ,2015-02-04

[6]

p型透明导电SnO2半导体薄膜及其制备方法和应用 [P].

何云斌 ;

黎明锴 ;

付旺 ;

叶盼 ;

刘博涵 ;

肖兴林 ;

魏浩然 ;

尹魏玲 ;

卢寅梅 ;

常钢 .

中国专利 :CN112210755B ,2021-01-12

[7]

一种基于SnO2纳米线传感器及其制备方法和应用 [P].

朱永恒 ;

赵勇 ;

刘红平 ;

张炜佳 ;

李泽娴 ;

马欧妹 .

中国专利 :CN105784776B ,2016-07-20

[8]

一种生物半导体纳米材料及其制备方法和应用 [P].

屈庆 ;

李顺灵 ;

李蕾 ;

李晓虹 .

中国专利 :CN113832496B ,2021-12-24

[9]

一种Pd/SnO2纳米球及其制备方法和应用 [P].

乔秀清 ;

李东升 ;

赵君 ;

侯东芳 ;

吴亚盘 ;

董文文 .

中国专利 :CN107285373B ,2017-10-24

[10]

半导体材料及其制备方法和应用 [P].

寇煦丰 ;

汤辰佳 ;

李家明 ;

杜鹏 ;

方铉 .

中国专利 :CN113097054B ,2024-04-09

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