一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910516550.1

申请日：

2019-06-14

公开(公告)号：

CN110112271A

公开(公告)日：

2019-08-09

发明(设计)人：

霍丽艳滕龙林加城谢祥彬刘兆

申请人：

申请人地址：

330103 江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3322 H01L3300

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

温可睿

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-09	公开	公开
2019-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20190614

共 50 条

[1]

一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构 [P].

霍丽艳 ;

滕龙 ;

林加城 ;

谢祥彬 ;

刘兆 .

中国专利 :CN209675324U ,2019-11-22

[2]

一种LED芯片及其制作方法 [P].

刘兆 ;

霍丽艳 ;

滕龙 ;

吴洪浩 ;

崔晓慧 .

中国专利 :CN115020568A ,2022-09-06

[3]

LED外延结构及其制作方法 [P].

冷鑫钰 ;

曾颀尧 ;

汪琼 ;

纪秉夆 ;

邢琨 ;

陈柏松 .

中国专利 :CN110137319A ,2019-08-16

[4]

LED外延结构及其制作方法 [P].

曾颀尧 ;

纪秉夆 ;

汪琼 ;

邢琨 ;

冷鑫钰 ;

陈柏松 .

中国专利 :CN110148656A ,2019-08-20

[5]

一种LED外延结构及制作方法 [P].

张洁 ;

朱学亮 ;

杜成孝 ;

刘建明 ;

徐宸科 .

中国专利 :CN105355741B ,2016-02-24

[6]

一种LED外延结构及制作方法 [P].

张洁 ;

冯向旭 ;

杜成孝 ;

刘建明 ;

徐宸科 .

中国专利 :CN105226149B ,2016-01-06

[7]

一种GaN基绿光LED外延结构及其制作方法 [P].

马欢 ;

田艳红 ;

牛凤娟 .

中国专利 :CN104409591A ,2015-03-11

[8]

一种LED外延底层结构及其生长方法 [P].

李毓锋 ;

马旺 ;

王成新 ;

刘永明 .

中国专利 :CN111725371B ,2020-09-29

[9]

一种LED的外延结构及其制作方法 [P].

霍丽艳 ;

滕龙 ;

周浩 ;

方誉 ;

谢祥彬 ;

刘兆 .

中国专利 :CN110010732A ,2019-07-12

[10]

一种LED的外延结构及其制作方法 [P].

霍丽艳 ;

滕龙 ;

周浩 ;

方誉 ;

谢祥彬 ;

刘兆 .

中国专利 :CN110010732B ,2024-06-25

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