半导体激光模块和半导体激光模块的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780079212.5

申请日：

2017-12-22

公开(公告)号：

CN110088994B

公开(公告)日：

2019-08-02

发明(设计)人：

有贺麻衣子稻叶悠介山冈一树菅谷俊雄

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01S502326

IPC分类号：

H01S510 G02B642 H01S550

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

刘文海

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-23	授权	授权
2019-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/022 申请日:20171222
2019-08-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体激光模块及半导体激光模块的制造方法 [P].

三代川纯 .

中国专利 :CN102272648B ,2011-12-07

[2]

半导体激光模块及半导体激光模块的制造方法 [P].

片桐健 ;

葛西洋平 .

中国专利 :CN111557066A ,2020-08-18

[3]

半导体激光模块 [P].

有贺麻衣子 ;

稻叶悠介 ;

山冈一树 .

中国专利 :CN110088997A ,2019-08-02

[4]

半导体激光模块 [P].

稻叶悠介 ;

有贺麻衣子 ;

山冈一树 .

中国专利 :CN111712977A ,2020-09-25

[5]

半导体激光模块 [P].

石毛悠太 ;

片山悦治 .

中国专利 :CN111712976A ,2020-09-25

[6]

半导体激光模块 [P].

吴茂冬 ;

卢国杰 ;

韩金龙 ;

牛增强 .

中国专利 :CN306778331S ,2021-08-24

[7]

半导体激光模块 [P].

松山哲也 ;

早水尚树 ;

木村俊雄 ;

三代川纯 ;

石毛悠太 .

中国专利 :CN205507157U ,2016-08-24

[8]

半导体激光模块 [P].

石毛悠太 ;

早水尚树 ;

片山悦治 ;

木村俊雄 .

中国专利 :CN105518505A ,2016-04-20

[9]

半导体激光模块 [P].

谷口英广 ;

三代川纯 .

中国专利 :CN102356523B ,2012-02-15

[10]

半导体激光模块 [P].

赵卫东 ;

郭亚南 ;

郝伟 .

中国专利 :CN309358904S ,2025-06-27

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