发光二极管芯片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310192277.4

申请日：

2013-05-22

公开(公告)号：

CN103325892A

公开(公告)日：

2013-09-25

发明(设计)人：

袁根如郝茂盛陶淳朱广敏陈诚张楠杨杰

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3342

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-25	公开	公开
2013-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101552331031 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2013101922774 申请日:20130522
2016-11-30	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101689958772 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2013101922774 放弃生效日:20161130

共 50 条

[1]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN209896094U ,2020-01-03

[2]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[3]

发光二极管芯片 [P].

洪梓健 ;

沈佳辉 ;

彭建忠 .

中国专利 :CN104183681A ,2014-12-03

[4]

发光二极管芯片及其制造方法 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

陈诚 ;

陶淳 ;

朱广敏 ;

张楠 ;

杨杰 .

中国专利 :CN103280499B ,2013-09-04

[5]

倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制备方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110085719A ,2019-08-02

[6]

发光二极管芯片的制造方法 [P].

袁根如 ;

郝茂盛 ;

颜建锋 ;

李士涛 ;

陈诚 ;

董云飞 .

中国专利 :CN101515624B ,2009-08-26

[7]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN210429862U ,2020-04-28

[8]

倒装发光二极管芯片 [P].

赵进超 ;

沈丹萍 ;

李超 ;

马新刚 ;

李东昇 .

中国专利 :CN212676295U ,2021-03-09

[9]

发光二极管芯片和用于制造发光二极管芯片的方法 [P].

贝恩德·迈尔 ;

沃尔夫冈·施密德 .

中国专利 :CN102986043B ,2013-03-20

[10]

倒装发光二极管芯片和倒装发光二极管芯片制作方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110098300A ,2019-08-06

← 1 2 3 4 5 →