发光二极管芯片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310158810.5

申请日：

2013-04-28

公开(公告)号：

CN103280499B

公开(公告)日：

2013-09-04

发明(设计)人：

郝茂盛袁根如陈诚陶淳朱广敏张楠杨杰

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3346 H01L3338

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-19	授权	授权
2013-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101552331150 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2013101588105 申请日:20130428
2013-09-04	公开	公开

共 50 条

[1]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[2]

发光二极管芯片的制造方法 [P].

袁根如 ;

郝茂盛 ;

陶淳 ;

朱广敏 ;

陈诚 ;

张楠 ;

杨杰 .

中国专利 :CN103325892A ,2013-09-25

[3]

一种发光二极管芯片及其制造方法 [P].

袁根如 ;

郝茂盛 .

中国专利 :CN101567414B ,2009-10-28

[4]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN209896094U ,2020-01-03

[5]

倒装发光二极管芯片 [P].

赵进超 ;

沈丹萍 ;

李超 ;

马新刚 ;

李东昇 .

中国专利 :CN212676295U ,2021-03-09

[6]

发光二极管芯片制备方法 [P].

朱迪 ;

肖和平 .

中国专利 :CN112993112B ,2021-06-18

[7]

发光二极管芯片及其制造方法 [P].

兰叶 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112002790A ,2020-11-27

[8]

发光二极管芯片及其制造方法 [P].

林雅雯 ;

凃博闵 ;

黄世晟 ;

黄嘉宏 ;

杨顺贵 .

中国专利 :CN103187495B ,2013-07-03

[9]

发光二极管芯片及其制造方法 [P].

樊邦扬 ;

翁新川 .

中国专利 :CN101325236A ,2008-12-17

[10]

发光二极管芯片的制造方法 [P].

袁根如 ;

郝茂盛 ;

颜建锋 ;

李士涛 ;

陈诚 ;

董云飞 .

中国专利 :CN101515624B ,2009-08-26

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