电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310231978.4

申请日：

2013-06-09

公开(公告)号：

CN104241246B

公开(公告)日：

2014-12-24

发明(设计)人：

李勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L23525

IPC分类号：

H01L23528 H01L21768 H01L21335 H01L29772 H01L23522

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595666418 IPC(主分类):H01L 23/525 专利申请号:2013102319784 申请日:20130609
2018-02-16	授权	授权
2014-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

电熔丝结构及其形成方法、半导体器件 [P].

李勇 ;

三重野文健 ;

陶佳佳 ;

张帅 ;

黄新运 ;

谢欣云 ;

居建华 .

中国专利 :CN104183543B ,2014-12-03

[2]

电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN104183542A ,2014-12-03

[3]

电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107359123A ,2017-11-17

[4]

电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106449516A ,2017-02-22

[5]

反熔丝结构及其形成方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108039345A ,2018-05-15

[6]

电熔丝结构及其形成方法和半导体器件 [P].

廖淼 .

中国专利 :CN104701296B ,2015-06-10

[7]

击穿式电熔丝结构及其形成方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108470676A ,2018-08-31

[8]

反熔丝结构及其形成方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109390317A ,2019-02-26

[9]

电熔丝结构及其形成方法 [P].

闫江 .

中国专利 :CN102376685A ,2012-03-14

[10]

电熔丝结构及其形成方法 [P].

闫江 .

中国专利 :CN102347309A ,2012-02-08

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