电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710516564.4

申请日：

2013-05-22

公开(公告)号：

CN107359123A

公开(公告)日：

2017-11-17

发明(设计)人：

李勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21768 H01L23525 H01L2978 B82Y4000

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴圳添;吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20130522
2019-11-01	授权	授权
2017-11-17	公开	公开

共 50 条

[1]

电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN104183542A ,2014-12-03

[2]

电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106449516A ,2017-02-22

[3]

电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN104241246B ,2014-12-24

[4]

电熔丝结构及其形成方法、半导体器件 [P].

李勇 ;

三重野文健 ;

陶佳佳 ;

张帅 ;

黄新运 ;

谢欣云 ;

居建华 .

中国专利 :CN104183543B ,2014-12-03

[5]

电熔丝结构及其形成方法和半导体器件 [P].

廖淼 .

中国专利 :CN104701296B ,2015-06-10

[6]

击穿式电熔丝结构及其形成方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108470676A ,2018-08-31

[7]

反熔丝结构及其形成方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108039345A ,2018-05-15

[8]

反熔丝结构及其形成方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109390317A ,2019-02-26

[9]

半导体器件及其形成方法、半导体结构 [P].

高金凤 ;

钱蔚宏 ;

王西宁 ;

程仁豪 .

中国专利 :CN110610924B ,2019-12-24

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

江国诚 ;

王志豪 ;

潘冠廷 .

中国专利 :CN109427673B ,2019-03-05

← 1 2 3 4 5 →