一种磷化铟单晶受控生长装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721640945.5

申请日：

2017-11-30

公开(公告)号：

CN207512313U

公开(公告)日：

2018-06-19

发明(设计)人：

朱建华

申请人：

申请人地址：

512000 广东省韶关市浈江区北郊黄岗韶关市科技企业创业园内11号

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

广州骏思知识产权代理有限公司 44425

代理人：

吴静芝

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20171130 授权公告日:20180619 终止日期:20211130
2018-06-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种磷化铟单晶生长装置 [P].

关活明 .

中国专利 :CN206624947U ,2017-11-10

[2]

可控磷化铟单晶生长装置 [P].

朱建华 ;

曾平生 ;

王坚 ;

刘芳芳 ;

刘重伟 ;

吴选高 ;

彭彦 ;

黄大霜 .

中国专利 :CN221956232U ,2024-11-05

[3]

一种VB法生长磷化铟单晶的装置 [P].

李世强 ;

柳廷龙 ;

叶晓达 ;

赵兴凯 ;

魏荣贤 ;

黄国勇 ;

钱俊兵 .

中国专利 :CN220433075U ,2024-02-02

[4]

一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置 [P].

肖祥江 ;

囤国超 ;

吕春富 ;

任洋 ;

董汝昆 ;

陈朝向 ;

杨嗣文 ;

梁鹏 .

中国专利 :CN207582002U ,2018-07-06

[5]

一种磷化铟高压单晶生长炉 [P].

张华芹 ;

程佳彪 ;

弓利军 .

中国专利 :CN213013163U ,2021-04-20

[6]

一种磷化铟单晶生长的恒压恒流保护气装置及磷化铟单晶生长的方法 [P].

柯尊斌 ;

乔印彬 ;

罗福敏 ;

王卿伟 .

中国专利 :CN112899785B ,2024-08-23

[7]

一种磷化铟单晶生长的恒压恒流保护气装置及磷化铟单晶生长的方法 [P].

柯尊斌 ;

乔印彬 ;

罗福敏 ;

王卿伟 .

中国专利 :CN112899785A ,2021-06-04

[8]

一种五级温控磷化铟单晶生长炉 [P].

方满棠 ;

王忆 .

中国专利 :CN121087619A ,2025-12-09

[9]

一种磷化铟单晶生长炉 [P].

肖祥江 ;

囤国超 ;

吕春富 ;

任洋 ;

叶晓达 ;

董汝昆 ;

杨嗣文 ;

梁鹏 .

中国专利 :CN207525375U ,2018-06-22

[10]

可控磷化铟单晶生长装置及生长方法 [P].

朱建华 ;

钟勇 ;

曾平生 ;

王坚 ;

刘芳芳 ;

吴选高 ;

刘重伟 ;

彭彦 ;

黄大霜 .

中国专利 :CN117568915A ,2024-02-20

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