半导体装置的形成方法

被引：0

申请号：

CN202210087912.1

申请日：

2022-01-25

公开(公告)号：

CN114823518A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德陈科夆梁正庸王振翰邱德洋彭羽筠林耕竹

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

黄艳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置的形成方法 [P].

李佩璇 ;

纪志坚 ;

刘育瑛 .

中国专利 :CN112530860A ,2021-03-19

[2]

半导体装置的形成方法 [P].

周典霈 ;

郑宇彣 ;

林钰庭 ;

王俊杰 ;

张根育 ;

白岳青 .

中国专利 :CN109841562A ,2019-06-04

[3]

半导体装置的形成方法 [P].

李健玮 ;

宋学昌 ;

李彦儒 .

中国专利 :CN112447520A ,2021-03-05

[4]

半导体装置的形成方法 [P].

李健玮 ;

宋学昌 ;

李彦儒 .

中国专利 :CN112447520B ,2025-09-05

[5]

半导体装置及其形成方法 [P].

陈靖怡 ;

卢炜业 ;

陈泓旭 ;

张志维 .

中国专利 :CN110660726B ,2020-01-07

[6]

半导体装置的形成方法 [P].

蔡万霖 ;

许仲豪 ;

张竞予 ;

王仁宏 ;

潘兴强 ;

李资良 .

中国专利 :CN109585280B ,2019-04-05

[7]

半导体装置的形成方法 [P].

许议文 ;

陈哲明 .

中国专利 :CN110783196A ,2020-02-11

[8]

半导体装置的形成方法 [P].

林资敬 ;

郭建亿 ;

舒丽丽 ;

李启弘 .

中国专利 :CN110648917A ,2020-01-03

[9]

半导体装置的形成方法 [P].

傅世豪 ;

周鸿儒 ;

张哲纶 ;

郭俊铭 ;

彭远清 ;

林颂恩 ;

郑农哲 ;

王俊尧 .

中国专利 :CN114038801A ,2022-02-11

[10]

半导体装置的形成方法 [P].

戴铭家 ;

曾主元 ;

江欣哲 ;

黄渊圣 ;

梁春昇 .

中国专利 :CN110783182B ,2024-08-23

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