半导体装置的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810916369.5

申请日：

2018-08-13

公开(公告)号：

CN109841562A

公开(公告)日：

2019-06-04

发明(设计)人：

周典霈郑宇彣林钰庭王俊杰张根育白岳青

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

张福根;冯志云

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/768 申请公布日:20190604
2019-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其形成方法 [P].

陈靖怡 ;

卢炜业 ;

陈泓旭 ;

张志维 .

中国专利 :CN110660726B ,2020-01-07

[2]

半导体装置的形成方法 [P].

蔡万霖 ;

许仲豪 ;

林颂恩 ;

王仁宏 ;

潘兴强 ;

李资良 .

中国专利 :CN109216263A ,2019-01-15

[3]

半导体装置的形成方法 [P].

蔡万霖 ;

许仲豪 ;

张竞予 ;

王仁宏 ;

潘兴强 ;

李资良 .

中国专利 :CN109585280B ,2019-04-05

[4]

半导体装置的形成方法 [P].

许议文 ;

陈哲明 .

中国专利 :CN110783196A ,2020-02-11

[5]

半导体装置的形成方法 [P].

姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 ;

陈科夆 ;

梁正庸 ;

王振翰 ;

邱德洋 ;

彭羽筠 ;

林耕竹 .

中国专利 :CN114823518A ,2022-07-29

[6]

半导体装置的形成方法 [P].

傅世豪 ;

周鸿儒 ;

张哲纶 ;

郭俊铭 ;

彭远清 ;

林颂恩 ;

郑农哲 ;

王俊尧 .

中国专利 :CN114038801A ,2022-02-11

[7]

半导体装置的形成方法 [P].

戴铭家 ;

曾主元 ;

江欣哲 ;

黄渊圣 ;

梁春昇 .

中国专利 :CN110783182B ,2024-08-23

[8]

半导体装置的形成方法 [P].

李佩璇 ;

纪志坚 ;

刘育瑛 .

中国专利 :CN112530860A ,2021-03-19

[9]

半导体装置的形成方法 [P].

赖德洋 ;

彭峻彦 ;

杨世海 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113206044A ,2021-08-03

[10]

半导体装置的形成方法 [P].

马丁·克里斯多福·霍兰德 .

中国专利 :CN115084009A ,2022-09-20

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