一种深孔硅刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210528536.1

申请日：

2012-12-10

公开(公告)号：

CN103871956A

公开(公告)日：

2014-06-18

发明(设计)人：

陶铮松尾裕史傅远许颂临尹志尧

申请人：

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

王洁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583759706 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012105285361 申请日:20121210
2017-09-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101760005540 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012105285361 申请公布日:20140618
2014-06-18	公开	公开

共 50 条

[1]

深硅孔刻蚀方法 [P].

李战强 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN105720003A ,2016-06-29

[2]

一种深硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103730411A ,2014-04-16

[3]

一种深硅通孔刻蚀方法 [P].

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103811408B ,2014-05-21

[4]

一种深孔硅刻蚀方法 [P].

凯文·皮尔斯 .

中国专利 :CN102398887A ,2012-04-04

[5]

一种深硅通孔的刻蚀方法 [P].

严利均 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103824767B ,2014-05-28

[6]

深硅刻蚀方法 [P].

莫中友 .

中国专利 :CN105185704A ,2015-12-23

[7]

一种深硅刻蚀方法 [P].

王红超 ;

刘身健 ;

严利均 .

中国专利 :CN105097440B ,2015-11-25

[8]

一种深硅刻蚀方法 [P].

袁仁志 ;

林源为 ;

张海苗 ;

苏子铎 ;

陈振鹏 ;

董子晗 .

中国专利 :CN111243951A ,2020-06-05

[9]

一种深硅刻蚀方法 [P].

涂良成 ;

伍文杰 ;

范继 ;

刘金全 ;

罗俊 .

中国专利 :CN103950887A ,2014-07-30

[10]

一种控温深硅刻蚀方法 [P].

林红 .

中国专利 :CN103072939A ,2013-05-01

← 1 2 3 4 5 →