一种深硅刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410221761.X

申请日：

2014-05-23

公开(公告)号：

CN105097440B

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

王红超刘身健严利均

申请人：

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

王洁

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更事项:专利权人变更前:中微半导体设备（上海）有限公司变更后:中微半导体设备（上海）股份有限公司变更事项:地址变更前:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更后:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638513604 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:201410221761X 申请日:20140523
2018-02-09	授权	授权
2015-11-25	公开	公开

共 50 条

[1]

深硅刻蚀方法 [P].

莫中友 .

中国专利 :CN105185704A ,2015-12-23

[2]

一种深硅刻蚀工艺 [P].

谢秋实 .

中国专利 :CN106683997A ,2017-05-17

[3]

一种深硅刻蚀方法 [P].

袁仁志 ;

林源为 ;

张海苗 ;

苏子铎 ;

陈振鹏 ;

董子晗 .

中国专利 :CN111243951A ,2020-06-05

[4]

一种深硅刻蚀方法 [P].

蒋中伟 .

中国专利 :CN103887164A ,2014-06-25

[5]

一种深硅刻蚀方法 [P].

田翠霞 ;

王友伟 ;

车洪祥 ;

方合 ;

徐雷军 .

中国专利 :CN115116843A ,2022-09-27

[6]

一种深硅刻蚀方法 [P].

涂良成 ;

伍文杰 ;

范继 ;

刘金全 ;

罗俊 .

中国专利 :CN103950887A ,2014-07-30

[7]

一种深硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103730411A ,2014-04-16

[8]

一种深硅通孔刻蚀方法 [P].

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103811408B ,2014-05-21

[9]

一种深孔硅刻蚀方法 [P].

凯文·皮尔斯 .

中国专利 :CN102398887A ,2012-04-04

[10]

一种深孔硅刻蚀方法 [P].

陶铮 ;

松尾裕史 ;

傅远 ;

许颂临 ;

尹志尧 .

中国专利 :CN103871956A ,2014-06-18

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