碳纳米管薄膜的表面聚合物的去除方法及电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810992435.7

申请日：

2018-08-29

公开(公告)号：

CN109225094A

公开(公告)日：

2019-01-18

发明(设计)人：

董立军谢雨农张志勇彭练矛

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

B01J1908

IPC分类号：

B01J300

代理机构：

北京鼎承知识产权代理有限公司 11551

代理人：

李伟波;孟奎

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 19/08 申请日:20180829
2020-02-28	授权	授权
2019-01-18	公开	公开

共 50 条

[1]

碳纳米管表面聚合物的去除方法和电子器件 [P].

董文杰 ;

张亚杰 ;

王永锋 ;

张志勇 .

中国专利 :CN115353095B ,2024-03-26

[2]

碳纳米管表面聚合物的去除方法和电子器件 [P].

董文杰 ;

张亚杰 ;

王永锋 ;

张志勇 .

中国专利 :CN115353095A ,2022-11-18

[3]

一种去除碳纳米管表面聚合物的方法和碳纳米管 [P].

孙兵 ;

常亚款 ;

常虎东 ;

魏珂 ;

王鑫华 .

中国专利 :CN118083959A ,2024-05-28

[4]

碳纳米管场效应管的制备方法、制备装置及电子器件 [P].

董立军 ;

谢雨农 ;

张志勇 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN109326714A ,2019-02-12

[5]

一种去除碳纳米管表面聚合物的方法 [P].

孙兵 ;

王晨阳 ;

常虎东 ;

王鑫华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN120184018A ,2025-06-20

[6]

去除碳纳米管材料的表面聚合物的方法及CMOS器件 [P].

刘晨晨 ;

曹宇 ;

张志勇 ;

韩杰 .

中国专利 :CN114899315A ,2022-08-12

[7]

去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法 [P].

韩杰 .

中国专利 :CN117735533A ,2024-03-22

[8]

碳纳米管增强的聚合物 [P].

克尼里斯·康恩格 ;

纳迪亚·格罗斯尔德 ;

珍·穆尔迪克 ;

椰齐姆·路斯 .

中国专利 :CN101426838A ,2009-05-06

[9]

碳纳米管的组装技术及电子器件 [P].

薛增泉 ;

刘惟敏 ;

顾镇南 ;

施祖进 ;

侯士敏 ;

张兆祥 ;

赵兴钰 ;

吴锦雷 ;

吴全德 .

中国专利 :CN1091544C ,2000-01-19

[10]

利用光驱动聚合物沉积半导体碳纳米管薄膜的方法、半导体碳纳米管薄膜 [P].

涂紫东 ;

余飞鸽 ;

夏煜 .

中国专利 :CN116178886B ,2024-08-02

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