新型毫米波Ga2O3肖特基二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010363712.5

申请日：

2020-04-30

公开(公告)号：

CN111509051A

公开(公告)日：

2020-08-07

发明(设计)人：

安国雨张志国刘育青郭黛翡张洋阳

申请人：

申请人地址：

101399 北京市顺义区高丽营镇文化营村北(临空二路1号)

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2924 H01L2906

代理机构：

石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128

代理人：

王占华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/872 申请日:20200430
2020-08-07	公开	公开

共 50 条

[1]

具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管 [P].

李晋 .

中国专利 :CN113345953B ,2021-09-03

[2]

Ga2O3肖特基二极管器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

邢翔宇 ;

韩根全 ;

李翔 ;

方立伟 ;

黄璐 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN106887470A ,2017-06-23

[3]

肖特基二极管 [P].

孔明 .

中国专利 :CN103035586A ,2013-04-10

[4]

毫米波薄膜肖特基二极管及其制备方法 [P].

陈海森 ;

王俊龙 ;

杨明宣 ;

金雷 .

中国专利 :CN115425066A ,2022-12-02

[5]

肖特基二极管 [P].

王飞 .

中国专利 :CN103035751A ,2013-04-10

[6]

新结构肖特基毫米波混频二极管 [P].

张海英 .

中国专利 :CN1630101A ,2005-06-22

[7]

肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

冯会会 ;

许志城 .

中国专利 :CN112086353A ,2020-12-15

[8]

肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

冯会会 ;

许志城 .

中国专利 :CN112086353B ,2024-10-01

[9]

肖特基二极管 [P].

Z·A·莎菲 ;

J·A·巴布科克 .

中国专利 :CN102870222B ,2013-01-09

[10]

新型肖特基二极管 [P].

韩广涛 ;

陆阳 ;

黄必亮 ;

周逊伟 .

中国专利 :CN205723554U ,2016-11-23

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