硅基高速高响应PIN光电探测器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710978970.2

申请日：

2017-10-19

公开(公告)号：

CN109686805B

公开(公告)日：

2019-04-26

发明(设计)人：

向勇军张鎏黄烈云

申请人：

申请人地址：

400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

IPC主分类号：

H01L31105

IPC分类号：

H01L310352 H01L3118

代理机构：

重庆辉腾律师事务所 50215

代理人：

王海军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/105 申请日:20171019
2021-06-18	授权	授权
2019-04-26	公开	公开
2020-02-07	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 31/105 登记生效日:20200115 变更事项:申请人变更前权利人:中电科技集团重庆声光电有限公司变更后权利人:中国电子科技集团公司第四十四研究所变更事项:地址变更前权利人:401332 重庆市沙坪坝区重庆市沙坪坝区西永镇微电园西永路367号变更后权利人:400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

共 50 条

[1]

硅基光电探测器及其制作方法 [P].

盛振 ;

武爱民 ;

仇超 ;

赵瑛璇 ;

高腾 ;

甘甫烷 ;

王曦 .

中国专利 :CN108878544A ,2018-11-23

[2]

一种高速高响应光电探测器及其制作方法 [P].

李冠宇 ;

戴家赟 ;

王宇轩 ;

牛斌 .

中国专利 :CN114023831A ,2022-02-08

[3]

响应度空间可变PIN光电探测器及其制作方法 [P].

鲁卿 ;

向勇军 ;

谭千里 ;

孙诗 ;

曹飞 .

中国专利 :CN103646985B ,2014-03-19

[4]

高速光电探测器芯片及其制作方法 [P].

赵润 ;

尹顺政 ;

安文 .

中国专利 :CN106356416A ,2017-01-25

[5]

近红外响应的硅基雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

黄建 ;

江海波 ;

李睿智 ;

黄烈云 .

中国专利 :CN106449856A ,2017-02-22

[6]

光电探测器、集成光电探测器及其制作方法 [P].

张济志 .

中国专利 :CN111312848A ,2020-06-19

[7]

硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法 [P].

郑婉华 ;

彭红玲 .

中国专利 :CN108573989B ,2018-09-25

[8]

硅基光电探测器及其制备方法 [P].

杨荣 ;

王庆 ;

余明斌 .

中国专利 :CN117476800A ,2024-01-30

[9]

硅基光电探测器及其制备方法 [P].

杨荣 ;

王庆 ;

余明斌 .

中国专利 :CN117476800B ,2024-04-09

[10]

1064nm增强型Si‑PIN光电探测器及其制作方法 [P].

黄烈云 ;

廖乃镘 ;

罗春林 ;

王艳 .

中国专利 :CN106129145A ,2016-11-16

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