近红外响应的硅基雪崩光电探测器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611096081.5

申请日：

2016-12-02

公开(公告)号：

CN106449856A

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

黄建江海波李睿智黄烈云

申请人：

申请人地址：

400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所

IPC主分类号：

H01L31107

IPC分类号：

H01L310216 H01L310232 H01L310236 H01L3118

代理机构：

重庆辉腾律师事务所 50215

代理人：

侯懋琪;侯春乐

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708608590 IPC(主分类):H01L 31/107 专利申请号:2016110960815 申请日:20161202
2018-08-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/107 申请公布日:20170222
2017-02-22	公开	公开

共 50 条

[1]

硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法 [P].

郑婉华 ;

彭红玲 .

中国专利 :CN108573989B ,2018-09-25

[2]

硅基近红外光电探测器结构及其制作方法 [P].

胡少旭 ;

韩培德 ;

李辛毅 ;

毛雪 ;

高利朋 .

中国专利 :CN102903781A ,2013-01-30

[3]

近红外雪崩光电探测器 [P].

翟汉濂 ;

吕顺顺 ;

肖道忠 ;

杜先常 ;

高松 .

中国专利 :CN307818024S ,2023-01-31

[4]

波导型硅基短波红外波段雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

汪巍 ;

涂芝娟 ;

曾友宏 ;

蔡艳 ;

余明斌 .

中国专利 :CN115440834A ,2022-12-06

[5]

新型零伏响应雪崩光电探测器芯片及其制作方法 [P].

王建 .

中国专利 :CN104576786A ,2015-04-29

[6]

硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

郑婉华 ;

彭红玲 ;

王天财 ;

石涛 ;

孟然哲 ;

齐爱谊 ;

李晶 .

中国专利 :CN113629159B ,2021-11-09

[7]

硅基光电探测器及其制作方法 [P].

盛振 ;

武爱民 ;

仇超 ;

赵瑛璇 ;

高腾 ;

甘甫烷 ;

王曦 .

中国专利 :CN108878544A ,2018-11-23

[8]

背入射雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

谢宗恒 ;

谢拾玉 .

中国专利 :CN119907320A ,2025-04-29

[9]

一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

王磊 ;

肖希 ;

陈代高 ;

胡晓 ;

张宇光 ;

李淼峰 ;

余少华 .

中国专利 :CN111883608B ,2020-11-03

[10]

硅基高速高响应PIN光电探测器及其制作方法 [P].

向勇军 ;

张鎏 ;

黄烈云 .

中国专利 :CN109686805B ,2019-04-26

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