新型零伏响应雪崩光电探测器芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410391823.1

申请日：

2014-08-12

公开(公告)号：

CN104576786A

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

王建

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路鲤鱼门街一号前海深港合作区管理局综合办公楼A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L31107 H01L3118

代理机构：

深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309

代理人：

廉红果

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

新型零伏响应雪崩光电探测器芯片 [P].

王建 .

中国专利 :CN204067379U ,2014-12-31

[2]

高速光电探测器芯片及其制作方法 [P].

赵润 ;

尹顺政 ;

安文 .

中国专利 :CN106356416A ,2017-01-25

[3]

带载体的高速雪崩光电探测器芯片及其制作方法 [P].

王建 .

中国专利 :CN104576808B ,2015-04-29

[4]

近红外响应的硅基雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

黄建 ;

江海波 ;

李睿智 ;

黄烈云 .

中国专利 :CN106449856A ,2017-02-22

[5]

Be离子扩散保护环雪崩光电探测器芯片及其制作方法 [P].

杨彦伟 ;

刘宏亮 ;

邹颜 ;

刘格 .

中国专利 :CN110611011A ,2019-12-24

[6]

一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

王磊 ;

肖希 ;

陈代高 ;

胡晓 ;

张宇光 ;

李淼峰 ;

余少华 .

中国专利 :CN111883608B ,2020-11-03

[7]

二类超晶格雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

赵成城 ;

马文全 ;

黄建亮 ;

张艳华 .

中国专利 :CN110311000A ,2019-10-08

[8]

背入射雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

谢宗恒 ;

谢拾玉 .

中国专利 :CN119907320A ,2025-04-29

[9]

雪崩光电探测器芯片及其制备方法 [P].

徐云 ;

朱淑娟 .

中国专利 :CN119208428A ,2024-12-27

[10]

硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法 [P].

郑婉华 ;

彭红玲 .

中国专利 :CN108573989B ,2018-09-25

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611418898 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利申请号:2014103918231 申请日:20140812
2015-04-29	公开	公开
2016-04-20	授权	授权
2016-06-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101734411515 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利号:ZL2014103918231 登记生效日:20160531 变更事项:专利权人变更前权利人:深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司变更后权利人:深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路鲤鱼门街一号前海深港合作区管理局综合办公楼A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司) 变更后权利人:518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
2019-12-13	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 31/0352 变更事项:专利权人变更前:深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司变更后:芯思杰技术（深圳）股份有限公司变更事项:地址变更前:518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）变更后:518000 广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼