二类超晶格雪崩光电探测器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910648930.0

申请日：

2019-07-17

公开(公告)号：

CN110311000A

公开(公告)日：

2019-10-08

发明(设计)人：

赵成城马文全黄建亮张艳华

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L310248

IPC分类号：

H01L310352 H01L31107 H01L3118

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤宝平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-02	授权	授权
2019-10-08	公开	公开
2019-11-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0248 申请日:20190717

共 50 条

[1]

钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 [P].

曹玉莲 ;

马文全 ;

张艳华 .

中国专利 :CN102569521A ,2012-07-11

[2]

InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 [P].

黄建亮 ;

马文全 ;

张艳华 ;

曹玉莲 .

中国专利 :CN102569484A ,2012-07-11

[3]

一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

王磊 ;

肖希 ;

陈代高 ;

胡晓 ;

张宇光 ;

李淼峰 ;

余少华 .

中国专利 :CN111883608B ,2020-11-03

[4]

新型零伏响应雪崩光电探测器芯片及其制作方法 [P].

王建 .

中国专利 :CN104576786A ,2015-04-29

[5]

背入射雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

谢宗恒 ;

谢拾玉 .

中国专利 :CN119907320A ,2025-04-29

[6]

二类超晶格双色红外探测器及其制备方法 [P].

张轶 ;

孙浩 ;

李海燕 ;

刘震宇 ;

刘铭 .

中国专利 :CN112002716A ,2020-11-27

[7]

平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法 [P].

黄勇 ;

熊敏 .

中国专利 :CN106558633A ,2017-04-05

[8]

硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法 [P].

郑婉华 ;

彭红玲 .

中国专利 :CN108573989B ,2018-09-25

[9]

一种雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

谢拾玉 ;

谢宗恒 ;

赵雅芝 .

中国专利 :CN117712215B ,2024-09-06

[10]

一种雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

谢拾玉 ;

谢宗恒 ;

赵雅芝 .

中国专利 :CN117712215A ,2024-03-15

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