非易失性半导体存储装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910578624.4

申请日：

2019-06-28

公开(公告)号：

CN111696604A

公开(公告)日：

2020-09-22

发明(设计)人：

滋贺秀裕

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

G11C1604

IPC分类号：

G11C1608 H01L2711556 H01L2711529

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

杨林勳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/04 申请日:20190628
2022-02-18	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):G11C 16/04 变更事项:申请人变更前:东芝存储器株式会社变更后:铠侠股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京
2020-09-22	公开	公开

共 50 条

[1]

非易失性半导体存储装置 [P].

森川佳直 .

中国专利 :CN100392758C ,2004-06-16

[2]

非易失性半导体存储装置 [P].

前嶋洋 .

中国专利 :CN111696605A ,2020-09-22

[3]

非易失性半导体存储装置 [P].

石井元治 ;

远藤诚一 .

中国专利 :CN1866544B ,2006-11-22

[4]

非易失性半导体存储装置 [P].

小渕雅宏 .

中国专利 :CN1828774B ,2006-09-06

[5]

非易失性半导体存储装置 [P].

渡辺正一 ;

野口充宏 .

中国专利 :CN112466367A ,2021-03-09

[6]

非易失性半导体存储装置 [P].

中山雅义 ;

河野和幸 ;

持田礼司 ;

高桥桂太 .

中国专利 :CN107886985A ,2018-04-06

[7]

非易失性半导体存储装置 [P].

浅见良信 .

中国专利 :CN102017129A ,2011-04-13

[8]

非易失性半导体存储装置 [P].

儿玉典昭 .

中国专利 :CN101393932A ,2009-03-25

[9]

非易失性半导体存储装置 [P].

宇都宫文靖 .

中国专利 :CN101515476B ,2009-08-26

[10]

非易失性半导体存储装置 [P].

品川裕 ;

葛西秀男 ;

川嶋泰彦 ;

樱井良多郎 ;

谷口泰弘 .

中国专利 :CN106233455A ,2016-12-14

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