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一种沟槽IGBT及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911214968.3
申请日
:
2019-12-02
公开(公告)号
:
CN110890422A
公开(公告)日
:
2020-03-17
发明(设计)人
:
俞义长
赵善麒
申请人
:
申请人地址
:
213022 江苏省常州市新北区华山中路18号
IPC主分类号
:
H01L29739
IPC分类号
:
H01L21331
H01L2906
代理机构
:
常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231
代理人
:
高姗
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-03-17
公开
公开
2020-04-10
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20191202
共 50 条
[1]
微沟槽IGBT及其制作方法
[P].
俞义长
论文数:
0
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0
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0
俞义长
;
赵善麒
论文数:
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赵善麒
.
中国专利
:CN113410295A
,2021-09-17
[2]
沟槽IGBT和其制作方法
[P].
高东岳
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高东岳
;
薛维佳
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薛维佳
;
蔡文伟
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蔡文伟
.
中国专利
:CN111933527A
,2020-11-13
[3]
沟槽栅IGBT制作方法、沟槽栅IGBT及电子装置
[P].
郑大燮
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郑大燮
;
刘博
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刘博
;
陈德艳
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陈德艳
.
中国专利
:CN106257627A
,2016-12-28
[4]
IGBT及其制作方法
[P].
喻巧群
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喻巧群
;
朱阳军
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朱阳军
;
卢烁今
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卢烁今
;
胡爱斌
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胡爱斌
;
田晓丽
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田晓丽
.
中国专利
:CN103855201A
,2014-06-11
[5]
一种沟槽IGBT
[P].
俞义长
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俞义长
;
赵善麒
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赵善麒
.
中国专利
:CN211295108U
,2020-08-18
[6]
一种IGBT及其制作方法
[P].
滕渊
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滕渊
;
朱阳军
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朱阳军
;
卢烁今
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卢烁今
;
田晓丽
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田晓丽
.
中国专利
:CN106711206A
,2017-05-24
[7]
一种IGBT及其制作方法
[P].
谈景飞
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谈景飞
;
朱阳军
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朱阳军
;
胡爱斌
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胡爱斌
;
张文亮
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张文亮
;
王波
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王波
.
中国专利
:CN103872111A
,2014-06-18
[8]
一种IGBT及其制作方法
[P].
滕渊
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滕渊
;
朱阳军
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朱阳军
;
卢烁今
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卢烁今
;
田晓丽
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田晓丽
.
中国专利
:CN106711205B
,2017-05-24
[9]
沟槽型IGBT器件的制作方法、沟槽型IGBT器件
[P].
潘嘉
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潘嘉
;
张同博
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张同博
;
姚一平
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姚一平
;
杨继业
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杨继业
;
邢军军
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邢军军
;
陈冲
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陈冲
;
黄璇
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黄璇
;
孙鹏
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孙鹏
.
中国专利
:CN113889407A
,2022-01-04
[10]
IGBT器件及其制作方法
[P].
韩健
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韩健
;
顾悦吉
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顾悦吉
;
黄示
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黄示
;
陈琛
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陈琛
.
中国专利
:CN105489644A
,2016-04-13
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