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沟槽型IGBT器件的制作方法、沟槽型IGBT器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111148407.5
申请日
:
2021-09-27
公开(公告)号
:
CN113889407A
公开(公告)日
:
2022-01-04
发明(设计)人
:
潘嘉
张同博
姚一平
杨继业
邢军军
陈冲
黄璇
孙鹏
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H01L21331
IPC分类号
:
H01L29739
H01L2940
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
罗雅文
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-01-04
公开
公开
2022-01-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20210927
共 50 条
[1]
沟槽型IGBT器件
[P].
朱袁正
论文数:
0
引用数:
0
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0
朱袁正
;
李宗清
论文数:
0
引用数:
0
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李宗清
.
中国专利
:CN203871337U
,2014-10-08
[2]
沟槽型IGBT器件
[P].
梁利晓
论文数:
0
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0
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0
机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
梁利晓
;
管佳宁
论文数:
0
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0
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0
机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
管佳宁
;
李迪
论文数:
0
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0
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0
机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
李迪
;
刘嘉
论文数:
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0
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0
机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
刘嘉
;
覃荣震
论文数:
0
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0
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0
机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
覃荣震
;
肖强
论文数:
0
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0
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0
机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
肖强
.
中国专利
:CN120224769A
,2025-06-27
[3]
沟槽栅IGBT器件的制作方法
[P].
潘嘉
论文数:
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潘嘉
;
杨继业
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杨继业
;
黄璇
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黄璇
;
孙鹏
论文数:
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0
孙鹏
.
中国专利
:CN111785629A
,2020-10-16
[4]
沟槽型IGBT器件结构
[P].
周晓阳
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0
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0
周晓阳
;
王亚哲
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0
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王亚哲
;
朱贤龙
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0
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朱贤龙
.
中国专利
:CN111261713B
,2020-06-09
[5]
沟槽栅型IGBT器件
[P].
顾悦吉
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顾悦吉
;
杨彦涛
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杨彦涛
;
韩健
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韩健
;
王珏
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王珏
.
中国专利
:CN204668312U
,2015-09-23
[6]
沟槽型IGBT器件结构
[P].
朱贤龙
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0
朱贤龙
;
闫鹏修
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0
闫鹏修
.
中国专利
:CN211480037U
,2020-09-11
[7]
沟槽型IGBT器件结构
[P].
刘军
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0
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0
刘军
;
李博强
论文数:
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0
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0
李博强
;
朱贤龙
论文数:
0
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0
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0
朱贤龙
.
中国专利
:CN111261712A
,2020-06-09
[8]
沟槽型IGBT器件及其制造方法
[P].
朱袁正
论文数:
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0
h-index:
0
朱袁正
;
李宗清
论文数:
0
引用数:
0
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0
李宗清
.
中国专利
:CN103985746A
,2014-08-13
[9]
一种沟槽型IGBT器件
[P].
黎国伟
论文数:
0
引用数:
0
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0
黎国伟
.
中国专利
:CN203415585U
,2014-01-29
[10]
沟槽型IGBT器件及其制备方法
[P].
王帅
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
紫光同芯微电子有限公司
紫光同芯微电子有限公司
王帅
;
王伟
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机构:
紫光同芯微电子有限公司
紫光同芯微电子有限公司
王伟
;
葛孝昊
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机构:
紫光同芯微电子有限公司
紫光同芯微电子有限公司
葛孝昊
;
郭依腾
论文数:
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机构:
紫光同芯微电子有限公司
紫光同芯微电子有限公司
郭依腾
.
中国专利
:CN120529600A
,2025-08-22
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