沟槽型IGBT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410247145.1

申请日：

2014-06-05

公开(公告)号：

CN103985746A

公开(公告)日：

2014-08-13

发明(设计)人：

朱袁正李宗清

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2128 H01L21331

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;刘海

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-13	公开	公开
2014-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586826734 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2014102471451 申请日:20140605
2016-10-05	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽型IGBT器件 [P].

朱袁正 ;

李宗清 .

中国专利 :CN203871337U ,2014-10-08

[2]

沟槽型终端IGBT器件及其制造方法 [P].

斯海国 ;

王鹏 ;

李翔 .

中国专利 :CN117711939A ,2024-03-15

[3]

沟槽栅型IGBT器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

杨彦涛 ;

韩健 ;

王珏 .

中国专利 :CN104882477B ,2015-09-02

[4]

沟槽型终端IGBT器件及其制造方法 [P].

斯海国 ;

王鹏 ;

李翔 .

中国专利 :CN117711939B ,2024-06-14

[5]

IGBT器件及其制造方法 [P].

范让萱 ;

缪进征 ;

王鹏飞 ;

刘磊 ;

龚轶 .

中国专利 :CN116936626B ,2025-11-28

[6]

沟槽IGBT器件及其制造方法 [P].

吴凯 ;

程炜涛 ;

王海军 ;

杨晓鸾 ;

许生根 .

中国专利 :CN106683989A ,2017-05-17

[7]

沟槽型IGBT器件的制作方法、沟槽型IGBT器件 [P].

潘嘉 ;

张同博 ;

姚一平 ;

杨继业 ;

邢军军 ;

陈冲 ;

黄璇 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN113889407A ,2022-01-04

[8]

IGBT的沟槽栅结构、IGBT器件及其制造方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

卢烁今 ;

许洁 ;

张鹏 .

中国专利 :CN117995667A ,2024-05-07

[9]

一种沟槽型半导体器件及其制造方法 [P].

杨涛涛 ;

吴海平 .

中国专利 :CN114122122A ,2022-03-01

[10]

具备多重调控的沟槽型IGBT器件 [P].

杨晓鸾 ;

许生根 ;

李哲锋 ;

李磊 ;

孔凡标 .

中国专利 :CN116190418B ,2025-07-22

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