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晶体管及电子设备

被引：0
申请号：
CN202080075441.1
申请日：
2020-10-26
公开(公告)号：
CN114616677A
公开(公告)日：
2022-06-10
发明(设计)人：
山崎舜平 神保安弘 金川朋贤
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县
IPC主分类号：
H01L29417
IPC分类号：
H01L2945 H01L2924 H01L2978 H01L29786 H01L2134
代理机构：
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人：
宋俊寅
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-06-10 公开 公开
2022-11-18 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/417 申请日:20201026
共 50 条
[1]
晶体管及电子设备 [P]. 
山崎舜平 ;
下村明久 .
中国专利 :CN107484435A ,2017-12-15
[2]
薄膜晶体管及电子设备 [P]. 
渡壁创 ;
津吹将志 ;
佐佐木俊成 ;
田丸尊也 ;
川岛绘美 ;
霍间勇辉 ;
佐佐木大地 .
日本专利 :CN119422456A ,2025-02-11
[3]
薄膜晶体管及电子设备 [P]. 
渡壁创 ;
津吹将志 ;
佐佐木俊成 ;
田丸尊也 ;
川嶋绘美 ;
霍间勇辉 ;
佐佐木大地 .
日本专利 :CN118805263A ,2024-10-18
[4]
薄膜晶体管及电子设备 [P]. 
渡壁创 ;
津吹将志 ;
佐佐木俊成 ;
田丸尊也 ;
川嶋绘美 ;
霍间勇辉 ;
佐佐木大地 .
日本专利 :CN118830088A ,2024-10-22
[5]
薄膜晶体管及电子设备 [P]. 
渡壁创 ;
津吹将志 ;
佐佐木俊成 ;
田丸尊也 ;
望月真里奈 ;
小野寺凉 ;
渡部将弘 ;
川岛绘美 ;
霍间勇辉 ;
佐佐木大地 .
日本专利 :CN120476685A ,2025-08-12
[6]
薄膜晶体管及电子设备 [P]. 
渡壁创 ;
津吹将志 ;
佐佐木俊成 ;
田丸尊也 ;
望月真里奈 ;
小野寺凉 ;
渡部将弘 ;
川岛绘美 ;
霍间勇辉 ;
佐佐木大地 .
日本专利 :CN120570087A ,2025-08-29
[7]
薄膜晶体管及电子设备 [P]. 
渡壁创 ;
津吹将志 ;
佐佐木俊成 ;
田丸尊也 ;
川岛绘美 ;
霍间勇辉 ;
佐佐木大地 .
日本专利 :CN119522639A ,2025-02-25
[8]
晶体管及电子设备 [P]. 
韩绍文 ;
姜向中 ;
黄航 ;
焦伟 ;
曾志雄 ;
孙捷 .
中国专利 :CN119069522A ,2024-12-03
[9]
层叠结构体、薄膜晶体管及电子设备 [P]. 
渡壁创 ;
津吹将志 ;
佐佐木俊成 ;
田丸尊也 ;
望月真里奈 ;
小野寺凉 ;
渡部将弘 ;
佐佐木大地 ;
川岛绘美 ;
霍间勇辉 .
日本专利 :CN120380859A ,2025-07-25
[10]
薄膜晶体管及电子设备 [P]. 
平井畅一 .
中国专利 :CN103000808A ,2013-03-27
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