通过隐形激光照射薄化的半导体晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110525523.8

申请日：

2021-05-13

公开(公告)号：

CN113964177A

公开(公告)日：

2022-01-21

发明(设计)人：

罗志强周福佑 R·哈纳皮林文秀

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2178 B23K26362

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邱军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210513
2022-01-21	公开	公开

共 50 条

[1]

通过隐形激光照射薄化的半导体晶片 [P].

罗志强 ;

周福佑 ;

R·哈纳皮 ;

林文秀 .

美国专利 :CN113964177B ,2024-11-26

[2]

通过水平隐形激光照射而薄化的半导体晶片 [P].

吴逸 ;

严俊荣 ;

钱中华 ;

周克明 ;

张凯雷 .

美国专利 :CN118202455A ,2024-06-14

[3]

半导体激光照射装置 [P].

周国诚 ;

夏常文 .

中国专利 :CN201006196Y ,2008-01-16

[4]

半导体激光照射器 [P].

张昌礼 ;

尤龙 .

中国专利 :CN2865752Y ,2007-02-07

[5]

薄型半导体晶片和减薄半导体晶片的方法 [P].

M·J·瑟登 .

中国专利 :CN101673679A ,2010-03-17

[6]

半导体晶片及切割半导体晶片的方法 [P].

元东勋 ;

李在银 ;

高永权 ;

许埈荣 .

中国专利 :CN112397447A ,2021-02-23

[7]

激光照射设备、激光照射方法和半导体装置的制造方法 [P].

田中幸一郎 ;

大石洋正 .

中国专利 :CN101331592B ,2008-12-24

[8]

激光照射装置、激光照射方法、及半导体器件的制造方法 [P].

田中博也 ;

山口芳广 ;

小林直之 .

日本专利 :CN119836336A ,2025-04-15

[9]

激光照射装置、激光照射方法及半导体装置的制造方法 [P].

大森贤一 ;

郑石焕 .

中国专利 :CN113661561A ,2021-11-16

[10]

激光照射装置、激光照射方法及半导体装置的制造方法 [P].

大森贤一 ;

郑石焕 .

日本专利 :CN113661561B ,2025-04-25

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