激光照射设备、激光照射方法和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680047387.X

申请日：

2006-11-30

公开(公告)号：

CN101331592B

公开(公告)日：

2008-12-24

发明(设计)人：

田中幸一郎大石洋正

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21268

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

康建忠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-16	授权	授权
2022-11-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/268 申请日:20061130 授权公告日:20100616 终止日期:20211130
2009-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

激光照射设备、激光照射方法和用于制造半导体装置的方法 [P].

佐藤亮介 ;

小林直之 .

日本专利 :CN118284955A ,2024-07-02

[2]

激光照射台、激光照射装置以及制造半导体装置的方法 [P].

田中幸一郎 .

中国专利 :CN1591086A ,2005-03-09

[3]

激光照射设备、激光照射方法和用于制造半导体装置的方法 [P].

今村博亮 .

中国专利 :CN114374138A ,2022-04-19

[4]

激光照射装置、激光照射方法及半导体装置的制造方法 [P].

大森贤一 ;

郑石焕 .

中国专利 :CN113661561A ,2021-11-16

[5]

激光照射装置、激光照射方法及半导体装置的制造方法 [P].

大森贤一 ;

郑石焕 .

日本专利 :CN113661561B ,2025-04-25

[6]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

三上贵弘 ;

藤贵洋 ;

铃木祐辉 ;

山口芳広 .

中国专利 :CN109690739A ,2019-04-26

[7]

激光照射设备和激光照射方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 .

中国专利 :CN100524629C ,2007-05-23

[8]

激光照射设备和激光照射方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 .

中国专利 :CN101599427B ,2009-12-09

[9]

激光照射装置、激光照射方法、及半导体器件的制造方法 [P].

田中博也 ;

山口芳广 ;

小林直之 .

日本专利 :CN119836336A ,2025-04-15

[10]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件的制造方法 [P].

田中博也 ;

山口芳广 ;

小林直之 .

日本专利 :CN118872028A ,2024-10-29

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