激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202280091526.8
申请日
2022-04-21
公开(公告)号
CN118872028A
公开(公告)日
2024-10-29
发明(设计)人
田中博也 山口芳广 小林直之
申请人
JSW阿克迪纳系统有限公司
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L21/268
IPC分类号
H01L21/265
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
马立荣;李早阳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
激光照射装置、激光照射方法、及半导体器件的制造方法 [P]. 
田中博也 ;
山口芳广 ;
小林直之 .
日本专利 :CN119836336A ,2025-04-15
[2]
激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P]. 
今村博亮 ;
藤贵洋 ;
山口芳広 .
中国专利 :CN110418691B ,2019-11-05
[3]
激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P]. 
藤贵洋 ;
铃木祐辉 ;
三上贵弘 ;
山口芳広 .
中国专利 :CN109643649A ,2019-04-16
[4]
激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P]. 
铃木祐辉 ;
藤贵洋 ;
三上贵弘 ;
山口芳広 ;
清水良 .
中国专利 :CN111066123A ,2020-04-24
[5]
激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P]. 
三上贵弘 ;
藤贵洋 ;
铃木祐辉 ;
山口芳広 .
中国专利 :CN109690739A ,2019-04-26
[6]
激光照射设备、激光照射方法和用于制造半导体装置的方法 [P]. 
佐藤亮介 ;
小林直之 .
日本专利 :CN118284955A ,2024-07-02
[7]
激光照射台、激光照射装置以及制造半导体装置的方法 [P]. 
田中幸一郎 .
中国专利 :CN1591086A ,2005-03-09
[8]
激光照射装置以及半导体器件制造方法 [P]. 
伊藤大介 ;
小田嶋保 ;
清水良 ;
町田政志 ;
松岛达郎 .
中国专利 :CN109891554A ,2019-06-14
[9]
激光照射方法、激光照射装置和制造半导体器件的方法 [P]. 
田中幸一郎 ;
山本良明 .
中国专利 :CN101044597A ,2007-09-26
[10]
激光照射装置和使用激光照射装置制造半导体器件的方法 [P]. 
田中幸一郎 ;
山本良明 ;
上坂奈己 .
中国专利 :CN1758417A ,2006-04-12