激光照射装置以及半导体器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780062257.1

申请日：

2017-07-14

公开(公告)号：

CN109891554A

公开(公告)日：

2019-06-14

发明(设计)人：

伊藤大介小田嶋保清水良町田政志松岛达郎

申请人：

申请人地址：

日本国东京都品川区大崎一丁目11番1号

IPC主分类号：

H01L21268

IPC分类号：

H01L2120 H01L21336 H01L29786 H01L5150

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-14	公开	公开
2022-08-09	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/268 登记生效日:20220727 变更事项:申请人变更前权利人:株式会社日本制钢所变更后权利人:JSW阿克迪纳系统有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本国东京都品川区大崎一丁目11番1号变更后权利人:日本国神奈川县横滨市金沢区福浦二丁目2番地1
2019-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/268 申请日:20170714

共 50 条

[1]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件的制造方法 [P].

田中博也 ;

山口芳广 ;

小林直之 .

日本专利 :CN118872028A ,2024-10-29

[2]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

藤贵洋 ;

铃木祐辉 ;

三上贵弘 ;

山口芳広 .

中国专利 :CN109643649A ,2019-04-16

[3]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

铃木祐辉 ;

藤贵洋 ;

三上贵弘 ;

山口芳広 ;

清水良 .

中国专利 :CN111066123A ,2020-04-24

[4]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

今村博亮 ;

藤贵洋 ;

山口芳広 .

中国专利 :CN110418691B ,2019-11-05

[5]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

三上贵弘 ;

藤贵洋 ;

铃木祐辉 ;

山口芳広 .

中国专利 :CN109690739A ,2019-04-26

[6]

激光照射装置、激光照射方法、及半导体器件的制造方法 [P].

田中博也 ;

山口芳广 ;

小林直之 .

日本专利 :CN119836336A ,2025-04-15

[7]

激光照射装置和使用激光照射装置制造半导体器件的方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 ;

上坂奈己 .

中国专利 :CN1758417A ,2006-04-12

[8]

激光照射台、激光照射装置以及制造半导体装置的方法 [P].

田中幸一郎 .

中国专利 :CN1591086A ,2005-03-09

[9]

激光照射装置、半导体器件制造方法及激光照射装置操作方法 [P].

清水良 ;

佐藤亮介 ;

下地辉昭 .

中国专利 :CN109804457A ,2019-05-24

[10]

激光照射方法和激光照射器件以及制造半导体器件的方法 [P].

田中幸一郎 ;

宫入秀和 ;

志贺爱子 ;

下村明久 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1409382A ,2003-04-09

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