激光照射装置和使用激光照射装置制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510071659.7

申请日：

2005-03-25

公开(公告)号：

CN1758417A

公开(公告)日：

2006-04-12

发明(设计)人：

田中幸一郎山本良明上坂奈己

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L21268 H01L2120 H01L21324 H01L21336 B23K2600

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘红;梁永

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-04-12	公开	公开
2008-11-12	授权	授权
2007-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

激光照射装置、半导体器件制造方法及激光照射装置操作方法 [P].

清水良 ;

佐藤亮介 ;

下地辉昭 .

中国专利 :CN109804457A ,2019-05-24

[2]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

藤贵洋 ;

铃木祐辉 ;

三上贵弘 ;

山口芳広 .

中国专利 :CN109643649A ,2019-04-16

[3]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

三上贵弘 ;

藤贵洋 ;

铃木祐辉 ;

山口芳広 .

中国专利 :CN109690739A ,2019-04-26

[4]

激光照射装置、激光照射方法、及半导体器件的制造方法 [P].

田中博也 ;

山口芳广 ;

小林直之 .

日本专利 :CN119836336A ,2025-04-15

[5]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件的制造方法 [P].

田中博也 ;

山口芳广 ;

小林直之 .

日本专利 :CN118872028A ,2024-10-29

[6]

激光照射台、激光照射装置以及制造半导体装置的方法 [P].

田中幸一郎 .

中国专利 :CN1591086A ,2005-03-09

[7]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

铃木祐辉 ;

藤贵洋 ;

三上贵弘 ;

山口芳広 ;

清水良 .

中国专利 :CN111066123A ,2020-04-24

[8]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

今村博亮 ;

藤贵洋 ;

山口芳広 .

中国专利 :CN110418691B ,2019-11-05

[9]

激光照射方法、激光照射装置和制造半导体器件的方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 .

中国专利 :CN101044597A ,2007-09-26

[10]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件的制作方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 .

中国专利 :CN100499019C ,2005-06-08

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