激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780088210.2

申请日：

2017-08-18

公开(公告)号：

CN110418691B

公开(公告)日：

2019-11-05

发明(设计)人：

今村博亮藤贵洋山口芳広

申请人：

申请人地址：

日本国东京都品川区大崎一丁目11番1号

IPC主分类号：

H01L21268

IPC分类号：

B23K2610 B65G4906 H01L2120

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B23K 26/10 申请日:20170818
2022-02-15	授权	授权
2019-11-05	公开	公开
2022-08-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/268 登记生效日:20220728 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社日本制钢所变更后权利人:JSW阿克迪纳系统有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本国东京都品川区大崎一丁目11番1号变更后权利人:日本国神奈川县横滨市金沢区福浦二丁目2番地1

共 50 条

[1]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

铃木祐辉 ;

藤贵洋 ;

三上贵弘 ;

山口芳広 ;

清水良 .

中国专利 :CN111066123A ,2020-04-24

[2]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

三上贵弘 ;

藤贵洋 ;

铃木祐辉 ;

山口芳広 .

中国专利 :CN109690739A ,2019-04-26

[3]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件的制造方法 [P].

田中博也 ;

山口芳广 ;

小林直之 .

日本专利 :CN118872028A ,2024-10-29

[4]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

藤贵洋 ;

铃木祐辉 ;

三上贵弘 ;

山口芳広 .

中国专利 :CN109643649A ,2019-04-16

[5]

激光照射装置、激光照射方法、及半导体器件的制造方法 [P].

田中博也 ;

山口芳广 ;

小林直之 .

日本专利 :CN119836336A ,2025-04-15

[6]

激光照射装置以及半导体器件制造方法 [P].

伊藤大介 ;

小田嶋保 ;

清水良 ;

町田政志 ;

松岛达郎 .

中国专利 :CN109891554A ,2019-06-14

[7]

激光照射方法、激光照射装置和制造半导体器件的方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 .

中国专利 :CN101044597A ,2007-09-26

[8]

激光照射装置和使用激光照射装置制造半导体器件的方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 ;

上坂奈己 .

中国专利 :CN1758417A ,2006-04-12

[9]

激光照射方法和激光照射器件以及制造半导体器件的方法 [P].

田中幸一郎 ;

宫入秀和 ;

志贺爱子 ;

下村明久 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1409382A ,2003-04-09

[10]

激光照射方法和激光照射器件以及制造半导体器件的方法 [P].

田中幸一郎 ;

宫入秀和 ;

志贺爱子 ;

下村明久 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN100446181C ,2006-09-06

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