激光照射方法、激光照射装置和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580036125.9

申请日：

2005-10-18

公开(公告)号：

CN101044597A

公开(公告)日：

2007-09-26

发明(设计)人：

田中幸一郎山本良明

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21268

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李德山

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/268 申请日:20051018 授权公告日:20121128 终止日期:20171018
2012-11-28	授权	授权
2007-09-26	公开	公开
2007-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

激光照射装置、激光照射方法、及半导体器件的制造方法 [P].

田中博也 ;

山口芳广 ;

小林直之 .

日本专利 :CN119836336A ,2025-04-15

[2]

照射激光的方法、激光照射装置和半导体器件的制造方法 [P].

田中幸一郎 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1551309A ,2004-12-01

[3]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件的制造方法 [P].

田中博也 ;

山口芳广 ;

小林直之 .

日本专利 :CN118872028A ,2024-10-29

[4]

激光照射装置、激光照射方法及半导体装置的制造方法 [P].

大森贤一 ;

郑石焕 .

中国专利 :CN113661561A ,2021-11-16

[5]

激光照射装置、激光照射方法及半导体装置的制造方法 [P].

大森贤一 ;

郑石焕 .

日本专利 :CN113661561B ,2025-04-25

[6]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

藤贵洋 ;

铃木祐辉 ;

三上贵弘 ;

山口芳広 .

中国专利 :CN109643649A ,2019-04-16

[7]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

铃木祐辉 ;

藤贵洋 ;

三上贵弘 ;

山口芳広 ;

清水良 .

中国专利 :CN111066123A ,2020-04-24

[8]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

今村博亮 ;

藤贵洋 ;

山口芳広 .

中国专利 :CN110418691B ,2019-11-05

[9]

激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 [P].

三上贵弘 ;

藤贵洋 ;

铃木祐辉 ;

山口芳広 .

中国专利 :CN109690739A ,2019-04-26

[10]

激光照射装置和使用激光照射装置制造半导体器件的方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 ;

上坂奈己 .

中国专利 :CN1758417A ,2006-04-12

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