激光照射设备、激光照射方法和用于制造半导体装置的方法

被引:0
申请号
CN202111199213.8
申请日
2021-10-14
公开(公告)号
CN114374138A
公开(公告)日
2022-04-19
发明(设计)人
今村博亮
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01S308
IPC分类号
H01S310 H01L21268
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
马立荣;李立行
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
激光照射装置、激光照射方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
大森贤一 ;
郑石焕 .
中国专利 :CN113661561A ,2021-11-16
[2]
激光照射装置、激光照射方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
大森贤一 ;
郑石焕 .
日本专利 :CN113661561B ,2025-04-25
[3]
激光照射设备、激光照射方法和用于制造半导体装置的方法 [P]. 
佐藤亮介 ;
小林直之 .
日本专利 :CN118284955A ,2024-07-02
[4]
激光照射设备、激光照射方法和半导体装置的制造方法 [P]. 
田中幸一郎 ;
大石洋正 .
中国专利 :CN101331592B ,2008-12-24
[5]
激光照射方法、激光照射装置和制造半导体器件的方法 [P]. 
田中幸一郎 ;
山本良明 .
中国专利 :CN101044597A ,2007-09-26
[6]
激光照射装置、激光照射方法、及半导体器件的制造方法 [P]. 
田中博也 ;
山口芳广 ;
小林直之 .
日本专利 :CN119836336A ,2025-04-15
[7]
激光照射台、激光照射装置以及制造半导体装置的方法 [P]. 
田中幸一郎 .
中国专利 :CN1591086A ,2005-03-09
[8]
激光照射设备和激光照射方法 [P]. 
田中幸一郎 ;
山本良明 .
中国专利 :CN100524629C ,2007-05-23
[9]
激光照射设备和激光照射方法 [P]. 
田中幸一郎 ;
山本良明 .
中国专利 :CN101599427B ,2009-12-09
[10]
激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件的制造方法 [P]. 
田中博也 ;
山口芳广 ;
小林直之 .
日本专利 :CN118872028A ,2024-10-29