半导体结构及其制造方法

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申请号
CN202110935666.6
申请日
2021-08-16
公开(公告)号
CN115706072A
公开(公告)日
2023-02-17
发明(设计)人
李宗翰 刘志拯
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L23498
IPC分类号
H01L2148 H01L2166
代理机构
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
高天华;张颖玲
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
李宗翰 ;
刘志拯 .
中国专利 :CN115706073B ,2025-08-29
[2]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
李宗翰 ;
刘志拯 .
中国专利 :CN115706072B ,2025-08-01
[3]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
李宗翰 ;
刘志拯 .
中国专利 :CN115706073A ,2023-02-17
[4]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
任楷 ;
王丽婷 ;
简毅豪 .
中国专利 :CN111952302B ,2024-03-22
[5]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
刘川 .
中国专利 :CN120957465A ,2025-11-14
[6]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
陆阳 ;
黄必亮 ;
任远程 ;
周逊伟 .
中国专利 :CN104241137A ,2014-12-24
[7]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
任楷 ;
王丽婷 ;
简毅豪 .
中国专利 :CN111952302A ,2020-11-17
[8]
位线结构制造方法、半导体结构制造方法及半导体结构 [P]. 
郗宁 ;
王沛萌 .
中国专利 :CN114078775A ,2022-02-22
[9]
位线结构制造方法、半导体结构制造方法及半导体结构 [P]. 
郗宁 ;
王沛萌 .
中国专利 :CN114078775B ,2024-12-10
[10]
半导体结构的制造方法及其半导体结构 [P]. 
苏国辉 .
中国专利 :CN120825941A ,2025-10-21