半导体结构及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910414046.0
申请日
2019-05-17
公开(公告)号
CN111952302A
公开(公告)日
2020-11-17
发明(设计)人
任楷 王丽婷 简毅豪
申请人
申请人地址
中国台湾台中市
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L218242
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
王天尧;任默闻
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
任楷 ;
王丽婷 ;
简毅豪 .
中国专利 :CN111952302B ,2024-03-22
[2]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
李宗翰 ;
刘志拯 .
中国专利 :CN115706073B ,2025-08-29
[3]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
彭川 .
中国专利 :CN104952734B ,2020-01-24
[4]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
李宗翰 ;
刘志拯 .
中国专利 :CN115706072B ,2025-08-01
[5]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
B·B·多里斯 ;
V·K·帕鲁许里 ;
B·P·林德尔 ;
V·纳拉亚南 ;
Y-H·金 .
中国专利 :CN100485936C ,2007-07-04
[6]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
刘川 .
中国专利 :CN120957465A ,2025-11-14
[7]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
朱慧珑 ;
尹海洲 ;
骆志炯 ;
梁擎擎 .
中国专利 :CN102544097B ,2012-07-04
[8]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
李宗翰 ;
刘志拯 .
中国专利 :CN115706073A ,2023-02-17
[9]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
宋璐瑶 ;
樊航 ;
吴健 ;
时磊 ;
许曙明 .
中国专利 :CN114843265A ,2022-08-02
[10]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
李宗翰 ;
刘志拯 .
中国专利 :CN115706072A ,2023-02-17