半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010617456.4

申请日：

2010-12-31

公开(公告)号：

CN102544097B

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

朱慧珑尹海洲骆志炯梁擎擎

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2941 H01L218238 H01L21762 H01L2128

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王波波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-07	授权	授权
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101322519400 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010106174564 申请日:20101231
2012-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

彭川 .

中国专利 :CN104952734B ,2020-01-24

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

任楷 ;

王丽婷 ;

简毅豪 .

中国专利 :CN111952302B ,2024-03-22

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

B·B·多里斯 ;

V·K·帕鲁许里 ;

B·P·林德尔 ;

V·纳拉亚南 ;

Y-H·金 .

中国专利 :CN100485936C ,2007-07-04

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘川 .

中国专利 :CN120957465A ,2025-11-14

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

任楷 ;

王丽婷 ;

简毅豪 .

中国专利 :CN111952302A ,2020-11-17

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

宋璐瑶 ;

樊航 ;

吴健 ;

时磊 ;

许曙明 .

中国专利 :CN114843265A ,2022-08-02

[7]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[8]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

马可·范·达尔 ;

荷尔本·朵尔伯斯 ;

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

马礼修 .

中国专利 :CN114927563A ,2022-08-19

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

萧孟轩 ;

陈维宁 ;

李东颖 .

中国专利 :CN109728093A ,2019-05-07

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

吕相钦 ;

吴建志 ;

杨哲勋 ;

陈鸿文 .

中国专利 :CN107017301A ,2017-08-04

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