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一种高可靠性氮化铝覆铜陶瓷基板及其制备方法
被引:0
申请号
:
CN202111659024.4
申请日
:
2021-12-31
公开(公告)号
:
CN114478022B
公开(公告)日
:
2022-05-13
发明(设计)人
:
俞晓东
刘晓辉
杨恺
申请人
:
申请人地址
:
226300 江苏省南通市南通高新技术产业开发区双福路118号
IPC主分类号
:
C04B35584
IPC分类号
:
C04B35622
C04B3564
C04B3702
代理机构
:
南通国鑫智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 32606
代理人
:
王薇薇
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-05-13
公开
公开
2022-05-31
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/584 申请日:20211231
2023-01-03
授权
授权
共 50 条
[1]
高可靠性氮化铝陶瓷覆铝陶瓷基板及其制备方法和应用
[P].
林铁松
论文数:
0
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0
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
林铁松
;
徐瑞
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
徐瑞
;
何鹏
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
何鹏
.
中国专利
:CN117984628A
,2024-05-07
[2]
一种氮化铝陶瓷覆铜基板及其制备方法
[P].
宋山青
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宋山青
;
徐强
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徐强
;
吴波
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吴波
.
中国专利
:CN110937913B
,2020-03-31
[3]
一种氮化铝陶瓷覆铜基板及其制备方法
[P].
张昕
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0
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0
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0
张昕
.
中国专利
:CN108155103A
,2018-06-12
[4]
一种高可靠性AMB覆铜陶瓷基板及其制备方法
[P].
王斌
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机构:
江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
王斌
;
窦正旭
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机构:
江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
窦正旭
;
唐冬梅
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0
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机构:
江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
唐冬梅
.
中国专利
:CN118666591A
,2024-09-20
[5]
一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法
[P].
蹇满
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机构:
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
蹇满
;
欧阳鹏
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机构:
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
欧阳鹏
;
杨骆
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机构:
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
杨骆
;
王斌
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机构:
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
王斌
;
张涛
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机构:
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
张涛
.
中国专利
:CN117756555B
,2024-09-03
[6]
一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法
[P].
蹇满
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机构:
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
蹇满
;
欧阳鹏
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机构:
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
欧阳鹏
;
杨骆
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机构:
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
杨骆
;
王斌
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机构:
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
王斌
;
张涛
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机构:
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
江苏富乐华半导体科技股份有限公司
张涛
.
中国专利
:CN117756555A
,2024-03-26
[7]
氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法
[P].
俞晓东
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俞晓东
;
贺贤汉
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贺贤汉
;
李德善
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李德善
;
祝林
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祝林
.
中国专利
:CN103762181B
,2014-04-30
[8]
一种高可靠性氮化硅覆铜陶瓷基板的铜瓷界面结构及其制备方法
[P].
王斌
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王斌
;
贺贤汉
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贺贤汉
;
郭建岳
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郭建岳
;
张恩荣
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张恩荣
;
马敬伟
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马敬伟
;
孙泉
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孙泉
.
中国专利
:CN111403347B
,2020-07-10
[9]
一种氮化铝陶瓷基板表面覆铜方法
[P].
田无边
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田无边
;
杨勇
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杨勇
;
刘乔丹
论文数:
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刘乔丹
.
中国专利
:CN112608165B
,2021-04-06
[10]
一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法
[P].
刘维华
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机构:
军瓷电子材料河北有限公司
军瓷电子材料河北有限公司
刘维华
;
刘庆锋
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机构:
军瓷电子材料河北有限公司
军瓷电子材料河北有限公司
刘庆锋
;
张风云
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机构:
军瓷电子材料河北有限公司
军瓷电子材料河北有限公司
张风云
.
中国专利
:CN118637924B
,2024-10-29
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