一种高可靠性氮化硅覆铜陶瓷基板的铜瓷界面结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010139272.5

申请日：

2020-03-03

公开(公告)号：

CN111403347B

公开(公告)日：

2020-07-10

发明(设计)人：

王斌贺贤汉郭建岳张恩荣马敬伟孙泉

申请人：

申请人地址：

224200 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号

IPC主分类号：

H01L2315

IPC分类号：

H01L2148 B23K1008 B23K3530

代理机构：

上海申浩律师事务所 31280

代理人：

赵建敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/15 申请日:20200303
2022-02-25	授权	授权
2022-01-28	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 23/15 变更事项:申请人变更前:江苏富乐德半导体科技有限公司变更后:江苏富乐华半导体科技股份有限公司变更事项:地址变更前:224200 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号变更后:224200 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号
2020-07-10	公开	公开

共 50 条

[1]

覆铜氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

李德善 ;

朴贤卿 ;

竹子川 ;

蔡亚果 ;

高维 .

中国专利 :CN109734470A ,2019-05-10

[2]

一种高可靠性氮化硅AMB基板的界面结构及其制备方法 [P].

王斌 ;

窦正旭 ;

唐冬梅 ;

贺磊 ;

孙泉 .

中国专利 :CN119517748A ,2025-02-25

[3]

一种高可靠性氮化铝覆铜陶瓷基板及其制备方法 [P].

俞晓东 ;

刘晓辉 ;

杨恺 .

中国专利 :CN114478022B ,2022-05-13

[4]

氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法 [P].

张义政 ;

高岭 ;

吴亚光 ;

刘旭 ;

鲍禹希 ;

张腾 ;

张金利 ;

张崤君 ;

刘林杰 ;

乔志壮 ;

刘思雨 .

中国专利 :CN112679220A ,2021-04-20

[5]

一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法 [P].

吴海兵 ;

陈应峰 .

中国专利 :CN114230361B ,2022-03-25

[6]

一种氮化硅流延浆料及其制备方法、氮化硅陶瓷片、覆铜陶瓷基板 [P].

周维 ;

陈思怡 ;

罗文坡 ;

朱一鸣 .

中国专利 :CN119822851A ,2025-04-15

[7]

一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法 [P].

施纯锡 ;

冯家伟 .

中国专利 :CN117736006A ,2024-03-22

[8]

一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法 [P].

孟瑜 ;

胡昕熠 ;

张秀萍 ;

贾聪颖 ;

杨潘 ;

王梓殴 ;

刘明霞 .

中国专利 :CN119930331A ,2025-05-06

[9]

一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法 [P].

徐强 ;

王长建 ;

宋山青 ;

周维 .

中国专利 :CN112552070B ,2021-03-26

[10]

一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法 [P].

宋山青 ;

徐强 ;

吴波 .

中国专利 :CN110937912A ,2020-03-31

← 1 2 3 4 5 →