半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03801341.X

申请日：

2003-06-13

公开(公告)号：

CN100403537C

公开(公告)日：

2005-01-26

发明(设计)人：

北畠真楠本修内田正雄高桥邦方山下贤哉

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L2518 H01L2978

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-01-26	公开	公开
2008-07-16	授权	授权
2005-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

森健太郎 ;

山道新太郎 ;

村井秀哉 ;

船矢琢央 ;

川野连也 ;

前田武彦 ;

副岛康志 .

中国专利 :CN101320716A ,2008-12-10

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

井上尚也 ;

金子贵昭 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN102800707B ,2012-11-28

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

西村隆雄 .

中国专利 :CN101378051A ,2009-03-04

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

松木浩久 ;

作间正雄 .

中国专利 :CN102881680B ,2013-01-16

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

张磊 ;

李铁生 .

中国专利 :CN102456690B ,2012-05-16

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

丸山纯矢 ;

高山彻 ;

后藤裕吾 .

中国专利 :CN1945856B ,2007-04-11

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

君冢直彦 ;

今井清隆 .

中国专利 :CN1858913A ,2006-11-08

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

丸山纯矢 ;

高山彻 ;

后藤裕吾 .

中国专利 :CN1288710C ,2003-05-14

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

川俣郁子 ;

荒井康行 .

中国专利 :CN101064321B ,2007-10-31

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

邓光敏 ;

裴轶 ;

朱永生 .

中国专利 :CN108807524B ,2018-11-13

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