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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200810212644.1
申请日：
2008-08-27
公开(公告)号：
CN101378051A
公开(公告)日：
2009-03-04
发明(设计)人：
西村隆雄
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号：
H01L2500
IPC分类号：
H01L23488
H01L2313
H01L2150
H01L2160
代理机构：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人：
张龙哺;冯志云
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2009-03-04 | 公开 | 公开 |
| 2009-04-29 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2009-04-08 | 专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) | 专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人 变更前权利人:富士通株式会社 变更后权利人:富士通微电子株式会社 变更事项:地址 变更前:日本神奈川县川崎市 变更后:日本东京都 登记生效日:20090306 |
| 2015-06-03 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101715926344 IPC(主分类):H01L 25/00 专利号:ZL2008102126441 变更事项:专利权人 变更前权利人:富士通半导体股份有限公司 变更后权利人:株式会社索思未来 变更事项:地址 变更前权利人:日本神奈川县横滨市 变更后权利人:日本神奈川县 登记生效日:20150514 |
| 2012-10-10 | 授权 | 授权 |
| 2021-08-06 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 25/00 申请日:20080827 授权公告日:20121010 终止日期:20200827 |