光学半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610140322.1

申请日：

2006-11-27

公开(公告)号：

CN1976013A

公开(公告)日：

2007-06-06

发明(设计)人：

石田智彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2328

IPC分类号：

H01L2329 H01L2331 H01L2156

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

雒运朴;徐谦

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-06	公开	公开
2009-07-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

光学半导体器件及其制造方法 [P].

森田好次 ;

加藤智子 .

中国专利 :CN101027786A ,2007-08-29

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

森健太郎 ;

山道新太郎 ;

村井秀哉 ;

船矢琢央 ;

川野连也 ;

前田武彦 ;

副岛康志 .

中国专利 :CN101320716A ,2008-12-10

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

西村隆雄 .

中国专利 :CN101378051A ,2009-03-04

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

北畠真 ;

楠本修 ;

内田正雄 ;

高桥邦方 ;

山下贤哉 .

中国专利 :CN100403537C ,2005-01-26

[5]

光学半导体器件及其制造方法 [P].

山路和宏 ;

渡边孝幸 .

中国专利 :CN111064076A ,2020-04-24

[6]

光学半导体器件及其制造方法 [P].

岩井誉贵 .

中国专利 :CN101449389A ,2009-06-03

[7]

光学半导体器件及其制造方法 [P].

山路和宏 ;

渡边孝幸 .

日本专利 :CN111064076B ,2025-01-10

[8]

光学半导体器件及其制造方法 [P].

早川明宪 ;

松本武 .

中国专利 :CN103579903A ,2014-02-12

[9]

半导体器件及其制造方法和半导体基板 [P].

赤星年隆 .

中国专利 :CN101404270A ,2009-04-08

[10]

半导体元件及其制造方法,半导体器件及其制造方法 [P].

东和司 ;

塚原法人 ;

米泽隆弘 ;

八木能彦 ;

北山喜文 ;

大谷博之 .

中国专利 :CN1549305A ,2004-11-24

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