光学半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201310328802.0
申请日
2013-07-31
公开(公告)号
CN103579903A
公开(公告)日
2014-02-12
发明(设计)人
早川明宪 松本武
申请人
申请人地址
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号
H01S5343
IPC分类号
H01S522
代理机构
隆天国际知识产权代理有限公司 72003
代理人
金鹏;陈昌柏
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
光学半导体器件及其制造方法 [P]. 
岩井誉贵 .
中国专利 :CN101449389A ,2009-06-03
[2]
光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法 [P]. 
植竹理人 ;
高林和雅 .
中国专利 :CN103247936B ,2013-08-14
[3]
半导体器件制造方法及其半导体器件 [P]. 
杉井信之 ;
中川清和 ;
山口伸也 ;
宫尾正信 .
中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04
[4]
光学半导体器件及其制造方法 [P]. 
山路和宏 ;
渡边孝幸 .
中国专利 :CN111064076A ,2020-04-24
[5]
光学半导体器件及其制造方法 [P]. 
山路和宏 ;
渡边孝幸 .
日本专利 :CN111064076B ,2025-01-10
[6]
光学半导体器件及其制造方法 [P]. 
森田好次 ;
加藤智子 .
中国专利 :CN101027786A ,2007-08-29
[7]
光学半导体器件及其制造方法 [P]. 
石田智彦 .
中国专利 :CN1976013A ,2007-06-06
[8]
光学半导体器件的制造方法 [P]. 
阪田康隆 .
中国专利 :CN1213197A ,1999-04-07
[9]
半导体器件、光学器件模块以及半导体器件的制造方法 [P]. 
小野敦 ;
藤原纪人 .
中国专利 :CN100433303C ,2005-07-27
[10]
半导体衬底及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P]. 
永野元 ;
宫野清孝 ;
水岛一郎 .
中国专利 :CN1288717C ,2004-09-22