半导体器件、光学器件模块以及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510005645.5

申请日：

2005-01-24

公开(公告)号：

CN100433303C

公开(公告)日：

2005-07-27

发明(设计)人：

小野敦藤原纪人

申请人：

申请人地址：

日本大阪市

IPC主分类号：

H01L2302

IPC分类号：

H01L2714

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅;叶恺东

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-12	授权	授权
2005-07-27	公开	公开
2021-01-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/02 申请日:20050124 授权公告日:20081112 终止日期:20200124
2013-12-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101681067786 IPC(主分类):H01L 23/02 专利号:ZL2005100056455 变更事项:专利权人变更前权利人:夏普株式会社变更后权利人:因文萨斯公司变更事项:地址变更前权利人:日本大阪市变更后权利人:美国加利福尼亚州登记生效日:20131129
2005-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块 [P].

柳川洋 ;

中柴康隆 ;

森和久 ;

长谷川浩一 .

日本专利 :CN118352236A ,2024-07-16

[2]

光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法 [P].

植竹理人 ;

高林和雅 .

中国专利 :CN103247936B ,2013-08-14

[3]

半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法 [P].

野本隆司 ;

米田义之 ;

中村公一 .

中国专利 :CN103390612B ,2013-11-13

[4]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

大西泰彦 .

中国专利 :CN102163621A ,2011-08-24

[5]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

戈登·M·格里芙尼亚 .

中国专利 :CN108538732A ,2018-09-14

[6]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

丁明镇 .

中国专利 :CN1949538A ,2007-04-18

[7]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

杜子明 ;

杜卫星 ;

游政昇 .

中国专利 :CN117393596A ,2024-01-12

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

S·J·克斯特 ;

A·马宗达 ;

蔡劲 .

中国专利 :CN101908561B ,2010-12-08

[9]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

安内特·文策尔 ;

拉尔斯·穆勒-梅什坎普 ;

汤姆·彼得亨泽尔 ;

法比安·盖森霍夫 ;

托尔斯滕·赫尔姆 ;

迪尔克·曼格尔 .

:CN118866961A ,2024-10-29

[10]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

后藤洋太郎 ;

永久克己 ;

野村佳广 .

中国专利 :CN113745323A ,2021-12-03

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