半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510001835.X

申请日：

2005-01-13

公开(公告)号：

CN100356510C

公开(公告)日：

2005-07-20

发明(设计)人：

横井哲哉

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2150 H01L2300 H01L2312 H01L2348

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

陈海红;段承恩

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101059689715 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL200510001835X 申请日:20050113 授权公告日:20071219 终止日期:20100222
2005-07-20	公开	公开
2007-12-19	授权	授权
2005-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

森健太郎 ;

山道新太郎 ;

村井秀哉 ;

船矢琢央 ;

川野连也 ;

前田武彦 ;

副岛康志 .

中国专利 :CN101320716A ,2008-12-10

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

龟山工次郎 ;

三田清志 .

中国专利 :CN100440499C ,2005-02-09

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

范合公 ;

坪野谷诚 ;

涩泽克彦 ;

加藤隆规 .

中国专利 :CN100492619C ,2005-02-16

[4]

半导体元件及其制造方法,半导体器件及其制造方法 [P].

东和司 ;

塚原法人 ;

米泽隆弘 ;

八木能彦 ;

北山喜文 ;

大谷博之 .

中国专利 :CN1549305A ,2004-11-24

[5]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

增田正亲 ;

富田幸治 ;

冈本任史 ;

田中康则 ;

大泽宽 ;

宫野和幸 ;

仓桥笃史 ;

铃木博道 .

中国专利 :CN105206586A ,2015-12-30

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

楠本直人 ;

田中幸一郎 .

中国专利 :CN1131341A ,1996-09-18

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

石堂仁则 ;

玉川道昭 ;

岩崎俊宽 .

中国专利 :CN106328607B ,2017-01-11

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

玉川道昭 ;

南泽正荣 .

中国专利 :CN1893038A ,2007-01-10

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

下川一生 ;

牛岛彰 .

中国专利 :CN100454509C ,2006-09-27

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

德重信明 .

中国专利 :CN1518059A ,2004-08-04

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