半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610073954.0

申请日：

2006-02-28

公开(公告)号：

CN100454509C

公开(公告)日：

2006-09-27

发明(设计)人：

下川一生牛岛彰

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L23488 H01L3300

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

李峥;杨晓光

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-09-27	公开	公开
2009-01-21	授权	授权
2018-03-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/60 申请日:20060228 授权公告日:20090121 终止日期:20170228

共 50 条

[1]

半导体元件及其制造方法,半导体器件及其制造方法 [P].

东和司 ;

塚原法人 ;

米泽隆弘 ;

八木能彦 ;

北山喜文 ;

大谷博之 .

中国专利 :CN1549305A ,2004-11-24

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

楠本直人 ;

田中幸一郎 .

中国专利 :CN1131341A ,1996-09-18

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

石堂仁则 ;

玉川道昭 ;

岩崎俊宽 .

中国专利 :CN106328607B ,2017-01-11

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

玉川道昭 ;

南泽正荣 .

中国专利 :CN1893038A ,2007-01-10

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

横井哲哉 .

中国专利 :CN100356510C ,2005-07-20

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

德重信明 .

中国专利 :CN1518059A ,2004-08-04

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑泽哲也 ;

井守义久 .

中国专利 :CN1551292A ,2004-12-01

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

杉山荣二 ;

道前芳隆 ;

大谷久 ;

鹤目卓也 .

中国专利 :CN103258800B ,2013-08-21

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

德重信明 .

中国专利 :CN1450593A ,2003-10-22

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

西村隆雄 ;

宇野正 ;

小野寺浩 ;

高岛晃 .

中国专利 :CN1452245A ,2003-10-29

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