半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310141588.8

申请日：

2008-03-12

公开(公告)号：

CN103258800B

公开(公告)日：

2013-08-21

发明(设计)人：

杉山荣二道前芳隆大谷久鹤目卓也

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2314

IPC分类号：

H01L23498 H01Q122

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

李玲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-26	授权	授权
2021-03-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/14 申请日:20080312 授权公告日:20170426 终止日期:20200312
2013-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101520127737 IPC(主分类):H01L 23/14 专利申请号:2013101415888 申请日:20080312
2013-08-21	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

杉山荣二 ;

道前芳隆 ;

大谷久 ;

鹤目卓也 .

中国专利 :CN101266953B ,2008-09-17

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

杉山荣二 ;

道前芳隆 ;

大谷久 ;

鹤目卓也 .

中国专利 :CN101266954A ,2008-09-17

[3]

半导体元件及其制造方法,半导体器件及其制造方法 [P].

东和司 ;

塚原法人 ;

米泽隆弘 ;

八木能彦 ;

北山喜文 ;

大谷博之 .

中国专利 :CN1549305A ,2004-11-24

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

楠本直人 ;

田中幸一郎 .

中国专利 :CN1131341A ,1996-09-18

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

石堂仁则 ;

玉川道昭 ;

岩崎俊宽 .

中国专利 :CN106328607B ,2017-01-11

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

玉川道昭 ;

南泽正荣 .

中国专利 :CN1893038A ,2007-01-10

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

下川一生 ;

牛岛彰 .

中国专利 :CN100454509C ,2006-09-27

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

横井哲哉 .

中国专利 :CN100356510C ,2005-07-20

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

德重信明 .

中国专利 :CN1518059A ,2004-08-04

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑泽哲也 ;

井守义久 .

中国专利 :CN1551292A ,2004-12-01

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